[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

现有技术中的阵列基板如图1所示，包括基板11，栅极12，栅绝缘层13，半导体层14，源极15，漏极16，钝化层17以及像素电极18。其中，用于制作栅极12，源极15，漏极16以及基板周围金属走线(图中未显示)的金属材料多为Al和Mo等电阻率小的金属，为防止这些金属材料的腐蚀，一般都会在制作完成所有金属图案层后再制作钝化层17，所述钝化层17包括在漏极16和像素电极18的连接处形成的过孔图形。

在现有的阵列基板中，虽然制作漏极和基板周围金属走线的金属材料Al和Mo的电阻率小，但是它们的化学稳定性及抗磨性都比较差，即使有像素电极18的保护，但由于所述像素电极18的制作材料通常为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)，ITO薄膜本身致密性差或底层的平坦度不好，就会导致覆盖在漏极金属上的ITO存在裂痕，水汽渗透过裂痕导致金属腐蚀。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以解决金属腐蚀的问题，提高产品良率和信赖性。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括基板，设置在所述基板上的栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层包括栅极和栅极周边走线，所述源漏金属层包括源极、漏极和源漏极周边走线，其特征在于，所述阵列基板还包括：

保护层，所述保护层包括设置于所述栅极周边走线上方的过孔处的第一保护层图案和设置于所述源漏极周边走线上方的过孔处的第二保护层图案，所述第一保护层图案和所述第二保护层图案之间不连通。

可选的，所述阵列基板还包括：栅绝缘层和钝化层，所述栅绝缘层设置在所述栅金属层的上方，所述源漏金属层的下方；所述钝化层设置在所述源漏金属层的上方；其中，所述栅极周边走线上方的过孔包括：所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔，所述源漏极周边走线上方的过孔包括：所述钝化层的第二过孔；

所述第一保护层图案通过所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔与所述栅极周边走线连接，所述第二保护层图案通过所述钝化层的第二过孔与所述源漏极周边走线连接。

优选的，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上方；

所述保护层还包括设置在所述钝化层的第三过孔处的第三保护层图案，其中，所述钝化层的第三过孔设置在所述漏极的上方，所述像素电极通过所述第三保护层图案与所述漏极电连接。

优选的，所述保护层的材料为树脂和导电颗粒的混合物。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置，通过在栅极周边走线和源漏极周边走线上方的过孔处设置保护层图案，外部的电路可以通过这些保护层图案电连接栅极周边走线或源漏极周边走线，同时，所述保护层图案也可以保护栅极周边走线和源漏极周边走线上的金属不被腐蚀，这样就可以提高产品良率和信赖性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的一种剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图。

附图标记：

11--基板，12--栅极，13--栅绝缘层，14--半导体层，15--源极，16--漏极，17--钝化层，18--像素电极；21--基板，25--钝化层，26--像素电极，27--栅绝缘层，28--半导体层，29--欧姆层；221--栅极，222--栅极周边走线，231--源极，232--漏极，233--源漏极周边走线，24a-保护层薄膜，241--第一保护层图案，242--第二保护层图案，243--第三保护层图案，2a--光刻胶图案。

具体实施方式