[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320203660.0 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN203179887U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 王德帅;郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括基板,设置在所述基板上的栅金属层和源漏金属层,所述栅金属层包括栅极和栅极周边走线,所述源漏金属层包括源极、漏极和源漏极周边走线,其特征在于,所述阵列基板还包括:
保护层,所述保护层包括设置于所述栅极周边走线上方的过孔处的第一保护层图案和设置于所述源漏极周边走线上方的过孔处的第二保护层图案,所述第一保护层图案和所述第二保护层图案之间不连通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:栅绝缘层和钝化层,所述栅绝缘层设置在所述栅金属层的上方,所述源漏金属层的下方;所述钝化层设置在所述源漏金属层的上方;其中,所述栅极周边走线上方的过孔包括:所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔,所述源漏极周边走线上方的过孔包括:所述钝化层的第二过孔;
所述第一保护层图案通过所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔与所述栅极周边走线连接,所述第二保护层图案通过所述钝化层的第二过孔与所述源漏极周边走线连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极,所述像素电极设置在所述钝化层上方;
所述保护层还包括设置在所述钝化层的第三过孔处的第三保护层图案,其中,所述钝化层的第三过孔设置在所述漏极的上方,所述像素电极通过所述第三保护层图案与所述漏极电连接。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层的材料为树脂和导电颗粒的混合物。
5.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-4任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的