[实用新型]封装的陶瓷元件

说明书

本申请是发明名称为“封装的陶瓷元件、”申请日为2010年7月21日、申请号为2010900010263的中国专利申请的分案申请。

相关申请

本申请要求申请日为2009年7月27日、发明名称为“Encapsulated C eramic Element and Method of Making the Same”的美国临时专利申请61/271,846的申请日的权益，该申请的全部内容通过引用明确地包括在本申请中。

技术领域

本实用新型涉及一种陶瓷元件，尤其是涉及一种封装的PZT（锆钛酸铅）元件及其制造方法。

背景技术

PZT（锆钛酸铅）陶瓷元件的制造工艺通常包括将晶片或块体PZT材料切割成多个更小的PZT元件。这种切割暴露了PZT元件的边缘和表面，再经过进一步的工艺或利用，会导致下列现象中的一种或几种：1）当PZT元件足够薄的时候，PZT元件的损伤；2）PZT的边缘和表面上的陶瓷材料的损坏；以及3）陶瓷材料颗粒从PZT元件的边缘和表面脱落并进入到使用PZT元件的产品中，例如磁盘驱动器。

实用新型内容

本实用新型涉及一种封装的陶瓷元件，例如PZT元件，其中该陶瓷元件的一个或多个外侧表面封装有一层环氧（epoxy）等类似的保护性封装材料以及一层金属化层。本实用新型还涉及一种制造该封装的陶瓷元件的方法。

本实用新型提供一种陶瓷元件，包括陶瓷材料核，该陶瓷材料核包括多个外部表面，该外部表面中的一个或多个覆盖有封装材料层，且该陶瓷材料核的一个或多个外部表面以及封装材料层的边缘还被金属化层覆盖。

在一个实施例中，该制造封装的陶瓷元件的方法包括至少下列步骤：提供陶瓷材料的晶片；制造多个穿过晶片的第一空间分离的切口，以形成包括基底和多个第一空间分离的壁的晶片，多个第一空间分离的壁从基底开始延伸，并在多个所述空间分离的壁之间限定多个第一空间分离的凹槽；用封装材料填充所述多个凹槽，以限定具有多个第一空间分离的封装材料层的晶片；至少研磨掉所述晶片的基底；制造穿过所述多个封装材料层中选定的封装材料层的切口，以将所述晶片分成多个分离且单独的封装的陶瓷元件，每个陶瓷元件包括一个封装的外侧表面或两个相对的封装的外侧表面。

根据本实用新型，在固化封装材料并研磨掉至少晶片的基底之后，向所述陶瓷材料晶片的顶部和底部外侧表面以及相对的封装材料层的顶部和底部边缘上施加金属化层。

在另一实施例中，所述方法还包括制造穿过所述晶片的多个第二空间分离的切口，多个第二空间分离的切口垂直于多个第一空间分离的切口，以限定具有多个柱和取向垂直于第一空间分离凹槽的第二空间分离的凹槽的晶片；用封装材料填充所述第一和第二空间分离的凹槽，以限定第一和第二组交叉的封装材料层；在固化封装材料并研磨掉至少晶片的基底之后，向所述晶片的顶部和底部外侧表面以及封装材料层的边缘上施加金属化层；以及，在步骤“制造穿过所述第一空间分离的封装材料层中选定的封装材料层的切口以形成多个陶瓷元件，每个陶瓷元件包括至少两个其上具有封装材料层的垂直外表面”之前或之后，制造穿过第二空间分离的封装材料层中选定的封装材料层的切口。

通过以下的本实用新型优选实施例的详细说明、附图和所附权利要求，将更容易明白本实用新型的其它的优点和特征。

附图说明

以下通过结合附图的描述，可以更好地理解本实用新型的上述及其它特征，其中：

图1为切削的PZT材料的起始晶片的放大透视图，所述PZT材料可用作制造本实用新型的封装PZT元件的起始材料或块体；

图2为图1中的PZT晶片在填充封装材料、固化该封装材料、磨掉至少图1所示PZT晶片的基底且向其施加了相对的金属化层后的放大透视图；

图3为图2所示的PZT晶片在穿过金属化层和封装材料层切削以形成多个单独、分离的封装PZT元件后的放大透视图；

图4为图3所示的单独的内部切割PZT元件中的一个的放大透视图，其包括两个相对的封装外侧表面以及两个相对的金属化外部顶部和底部表面；

图5为切成块的栅格图案的PZT材料起始晶片的放大透视图，所述PZT材料可用作制造本实用新型的封装PZT元件另一个实施例的起始材料或块体；

图6为图5中的PZT晶片在填充封装材料、固化该封装材料、磨掉至少图5所示PZT晶片的基底且向其施加了相对的金属化层后的放大透视图；

图7为图6所示的PZT晶片在穿过金属化层和封装材料层切削以形成多个单独、分离的封装PZT元件后的放大透视图；