[实用新型]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201320184838.1 | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN203218234U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 李建朋;吴成新;王海涛;王月超;郑志勇 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
1.一种湿法刻蚀机,包括刻蚀槽(21)和与所述刻蚀槽(21)通过挡板(22)分隔的溢流槽(23),所述刻蚀槽(21)与所述溢流槽(23)内均设置有承载硅片(24)的滚轮(25);其特征在于,还包括设置于所述挡板(22)上方的盖板(26),所述盖板(26)固定于所述滚轮(25)的支架,且其下表面与所述挡板(22)的上沿具有预定距离。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,还包括安装架(27),所述盖板(26)通过所述安装架(27)固定于所述支架。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述安装架(27)在垂直于所述硅片(24)运动方向上的长度,等于所述支架在该方向上的宽度,且所述安装架(27)以其两端固定于所述支架。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述安装架(27)的两端部分别开设有螺纹孔(28),并通过螺栓与所述支架固定连接。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述安装架(27)在垂直于所述硅片(24)运动方向上的长度,大于所述盖板(26)在该方向上的长度。
6.根据权利要求1至5任一项所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述盖板(26)在垂直于所述硅片(24)运动方向上的长度,等于所述挡板(22)在该方向上的长度。
7.根据权利要求2至5任一项所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述安装架(27)的下沿焊接于所述盖板(26)的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造