[实用新型]导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏

说明书

技术领域

本申请涉及触摸屏技术领域，特别是涉及导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏。

背景技术

自电容触摸屏时在玻璃或者薄膜材料表面用ITO（Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟）透明导电材料制成横向或纵向电极阵列，所述横向或纵向的电极阵列及与电极阵列连接的外围走线构成了导电层，所述导电层分别与地构成图1中所示的电容Cp，电容Cp即通常所说的自电容，也就是ITO电极1对地的电容。

如图1所示，导电层1上覆盖一层盖板2，当手3触摸到自电容触摸屏时，由于人体可以等效为大地，手指3与导电层1之间形成一个电容Cf，电容Cf与电容Cp形成并联电路（如图2所示），使得触摸屏的电容量增加（Cf+Cp＞Cp），触摸屏的触摸检测原理就是检测每个感应单元的电容的变化来判断是否产生对触摸屏的触摸。

传统的单层自电容触摸屏，能够实现单点+手势，以及两点触摸操作，只需一层导电层，成本低，应用较广泛，典型的结构如图3和图5所示的两种三角形结构，主要包括类似三角形的通道电极100，以及与通道电极100连接的外围走线200。

图3所示为典型的竖三角形图案的导电层结构的结构示意图，近似三角形的通道电极竖向交叉排列，其中，通道电极A1～A7均是宽边一侧连接外围走线，通道电极B1～B7均是窄边一侧连接外围走线。

需要说明的是，在计算手指触摸到自电容触摸屏上的坐标时，实际是利用手指与导电层之间形成的电容Cf的容值计算得到，由于Cf的容值与手指触摸到导电层上的触摸面积成正比，故为了便于理解，利用手指触摸到ITO电极上的触摸面积代替Cf的容值来计算手指的触摸坐标。

当手指触摸到图中所示的位置1时，手指部分触摸到通道电极覆盖区内，部分触摸到通道电极覆盖区域外，为了便于理解，在通道电极覆盖区域外虚拟了两个通道电极A0和B0（即图中虚线所示的通道电极），这样，Y坐标方向的坐标值计算公式为：

Y=(S2+S4+S6)/(S1+S2+S3+S4+S5+S6)    （式1）

式1中S1～S6为对应的通道电极的触摸面积。

但是，实际上通道电极A0和B0不存在，所以，此两个通道电极对应的触摸面积S1和S2不存在，则Y坐标方向的坐标值计算公式实际为：

Y=(S4+S6)/(S3+S4+S5+S6)    （式2）

由于S1和S2的损失，导致Y坐标方向的坐标值减小，即出现边缘甩尾现象，如图4所示，Y2＜Y1，Y1为正常时Y坐标方向的坐标值，Y2为出现边缘甩尾现象时Y坐标方向坐标值。

图5所示为典型的横三角型图案的导电层结构的结构示意图，近似三角形的通道电极100交叉排列，其中，通道电极F1-F4与通道电极E1-E4横向交叉排列，且通道电极F1-F4的宽边位于距离FPC（Flexible Printed Circuit，柔性线路板）300较远的一侧，窄边位于距离FPC300较近的一侧；通道电极E1-E4的宽边位于距离FPC300较近的一侧，窄边位于距离FPC300较远的一侧。

当手指触摸到通道电极的覆盖区的边缘位置（图5中的位置1）时，手指部分触摸到通道电极覆盖区内，部分触摸到通道电极覆盖区域外，为了便于理解，在通道电极覆盖区域外虚拟了两个通道电极E0和F0（即图中虚线所示的通道电极），这样，X坐标方向的坐标值计算公式为：

X=(W2+W4+W6)/(W1+W2+W3+W4+W5+W6)    （式3）

式3中，W1-W6分别是对应的通道电极的触摸面积。

但实际上，通道电极E0和F0不存在，因此，此两个通道电极对应的触摸面积W1和W2不存在，则X坐标方向的坐标值计算公式实际为：

X=(W4+W6)/(W3+W4+W5+W6)    （式4）

由于触摸面积W1和W2的损失，导致X坐标方向的坐标值减小，即出现边缘甩尾现象，具体如图6所示，X2＜X1，X1为正常时X坐标方向的坐标值，X2为出现边缘甩尾现象时X坐标方向坐标值。

现有技术中，采用通道电极F1连接的外围走线的触摸面积去补偿虚拟通道F0的触摸面积（由于通道电极F1连接的外围走线只能补偿与通道电极方向相同的通道电极的触摸面积），假设W为外围走线的触摸面积，此时，X坐标方向的坐标值的计算公式为：

X=(W4+W6)/(W+W3+W4+W5+W6)    （式5）

采用式5计算得到的X坐标方向坐标值的数值更小，出现的甩尾现象更严重。

综上，现有的三角形图案的自电容触摸屏均存在严重的边缘甩尾现象。