[实用新型]导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏

说明书

技术领域

本申请涉及触摸屏技术领域，特别是涉及一种导电层结构及应用该结构的自电容触摸屏。

背景技术

自电容触摸屏是在玻璃或者薄膜材料表面用导电材料制成横向或纵向电极阵列，所述横向或纵向的电极阵列，以及与所述电极阵列连接的外围走线构成了导电层，所述导电层分别与地构成图1中所示的电容Cp，电容Cp即通常所说的自电容，也就是导电层1对地的电容。

如图1所示，导电层1上覆盖一层盖板2，当手指3触摸到自电容触摸屏时，由于人体可以等效为大地，手指3与导电层1之间形成一个电容Cf，电容Cf与电容Cp形成并联电路（如图2所示），使得触摸屏的电容量增加（Cf+Cp＞Cp），触摸屏的触摸检测原理就是检测每个感应单元的电容的变化来判断是否产生对触摸屏的触摸。

传统的单层自电容触摸屏，能够实现单点+手势，以及两点触摸操作，只需一层导电层，成本低，应用较广泛，典型的结构如图3和图5所示的两种三角形结构，主要包括类似三角形的通道电极100，以及与通道电极100连接的外围走线200。

需要说明的是，在计算手指触摸到自电容触摸屏上的坐标时，实际是利用手指与导电层之间形成的电容Cf的容值计算得到，由于Cf的容值与手指触摸到导电层上的触摸面积成正比，故为了便于理解，利用手指触摸到导电层上的触摸面积代替Cf的容值来计算手指的触摸坐标。

在图3所示的能够实现单点+手势的设计方案中，在自电容的触摸屏的上边缘将出现严重的坐标偏移现象，图中A1～A6，B1～B6代表感应通道，当手指触摸在电极覆盖区以内的区域（位置1）时，Y方向的坐标计算公式为：

Y=(S2+S4+S6)/(S1+S2+S3+S4+S5+S6)   （式1）

其中，式1中的S1～S6是指对应的通道电极的触摸面积。

当手指触摸在电极覆盖区边缘位置（位置2）时，此时，手指的部分触摸在外围走线200上，各个通道电极外围走线200的宽度相等，此时，Y方向坐标计算公式为：

Y=(S2+S2’+S4+S4’+S6+S6’)/(S1+S1’+S2+S2’+S3+S3’+S4+S4’+S5+S5’+S6+S6’)   （式2）

式2中的S1～S6分别为对应的通道电极的触摸面积，S1’～S6’分别为对应的外围走线的触摸面积。

如图3所示，当手指触摸到位置2时，S1～S6各个触摸面积都损失一部分，虽然对应通道电极连接的外围走线的触摸面积S1’～S6’能够补偿部分损失的通道电极触摸面积，但是，由于S1’，S2’，S3’，S4’，S5’，S6’外围走线面积基本相等，因此通道电极的触摸面积S1，S3，S5相对S2，S4，S6损失得多，导致Y坐标值增大，如图4所示，Y1<Y2；Y1为坐标不偏移时Y方向坐标值，Y2为出现坐标偏移Y方向坐标值，由此可见，图3所示的自电容触摸屏出现了边缘坐标偏移现象。

同理，图5所示的双层竖三角形设计方案中，当手指触摸图中位置1的区域时，Y坐标的计算方式与式1相同，此位置不会发生Y坐标偏移现象。但是，由于在两层竖三角形结构的上下边缘均设置有与通道电极连接的外围走线200，因此，在自电容触摸屏的通道电极100覆盖区域的上下边缘均会出现严重的坐标偏移现象，其上边缘（即图中位置2）将出现Y坐标值增大的现象，其原理与图3所示的坐标偏移原理相同，此处不再赘述，下边缘（图中的位置3）将出现Y坐标值减小，图5中，A1～A12，B1～B12代表通道电极。

当手指触摸图5中的通道电极覆盖区的下边缘（位置3）时，Y方向坐标计算公式如下：

Y=(S8+S8’+S10+S10’+S12+S12’)/(S7+S7’+S8+S8’+S9+S9’+S10+S10’+S11+S11’+S12+S12’)   （式3）

式3中，S7～S12是指对应通道电极的触摸面积，S7’～S12’是指对应外围走线的触摸面积。

如图5中所示，位置3处的S7～S12各个面积都损失掉一部分，虽然对应外围走线的触摸面积S7’～S12’能补偿部分损失的通道触摸面积，但S7’，S8’，S9’，S10’，S11’，S12’外围走线的触摸面积基本相等，因此S8，S10，S12相对S7，S9，S11损失得多，导致Y坐标值减小，出现下边缘坐标偏移现象，如图6所示Y4<Y3；Y3为坐标不偏移时Y方向坐标值，Y4为出现坐标偏移Y方向坐标值。

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