[实用新型]一种非挥发性多次可编程存储器

权利要求书

1.一种非挥发性多次可编程存储器，其特征在于，包括：第一存储单元、第二存储单元、差分锁存放大器、第一读操作控制开关和第二读操作控制开关，其中：

所述第一存储单元与所述第二存储单元构成差分连接，所述第一存储单元的输出端、所述第二存储单元的输出端分别与所述差分锁存放大器的一个输入端相连接，所述第一读操作控制开关的一端、所述第二读操作控制开关的一端分别与所述差分锁存放大器的一个输出端相连接，所述第一读操作控制开关的另一端、所述第二读操作控制开关的另一端分别接地；

所述第一存储单元、所述第二存储单元分别包含一个存储晶体管，所述存储晶体管为单层多晶硅的浮栅晶体管，通过对浮栅注入电子或从浮栅拉出电子执行对所述第一存储单元、所述第二存储单元的编程操作或擦除操作。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：

所述第一存储单元包括第一控制开关、第一存储晶体管和第一耦合电容，所述第一控制开关为PMOS晶体管，所述第一存储晶体管为浮栅PMOS晶体管，所述第一耦合电容为NMOS电容，所述第一耦合电容的源极和漏极分别与擦除电压端相连接，所述第一耦合电容的栅极与所述第一存储晶体管的栅极相连接，所述第一存储晶体管的源极与所述第一控制开关的漏极相连接，所述第一控制开关的源极与电源电压端相连接，所述第一控制开关的栅极与编程选择开关的第一端相连接；

所述第二存储单元包括第二控制开关、第二存储晶体管和第二耦合电容，所述第二控制开关为PMOS晶体管，所述第二存储晶体管为浮栅PMOS晶体管，所述第二耦合电容为NMOS电容，所述第二耦合电容的源极和漏极分别与擦除电压端相连接，所述第二耦合电容的栅极与所述第二存储晶体管的栅极相连接，所述第二存储晶体管的源极与所述第二控制开关的漏极相连接，所述第二控制开关的源极与电源电压端相连接，所述第二控制开关的栅极与所述编程选择开关的第二端相连接；

所述差分锁存放大器包括构成差分连接的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一存储晶体管的漏极相连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二存储晶体管的漏极相连接，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连接，所述第二NMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极相连接，所述第一NMOS晶体管的源极、所述第二NMOS晶体管的源极分别接地；

所述第一读操作控制开关和所述第二读操作控制开关分别为NMOS晶体管，所述第一读操作控制开关的源极、所述第二读操作控制开关的源极分别接地，所述第一读操作控制开关的栅极、所述第二读操作控制开关的栅极分别与读操作控制端相连接，所述第一读操作控制开关的漏极与所述第一存储晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极相连接，所述第二读操作控制开关的漏极与所述第二存储晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述非挥发性多次可编程存储器的输出端相连接。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，当执行擦除操作时，所述擦除电压端接高压6～15V，所述电源电压端以及所述编程选择开关的第一端和第二端分别接地。

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，当执行编程操作时，所述电源电压端接高压3.5～6V，所述擦除电压端接地，所述编程选择开关的第一端或第二端接地。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，当执行读操作时，所述电源电压端接低压0.9～3.3V，所述擦除电压端、所述读操作控制端以及所述编程选择开关的第一端和第二端分别接地。

6.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一控制开关、所示存储晶体管和所述第一耦合电容分别驻留在同一P型衬底的不同N阱中。

7.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二控制开关、所述第二存储晶体管和所述第二耦合电容分别驻留在同一P型衬底的不同N阱中。