[实用新型]加热炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种加热装置，尤指一种加热炉。

背景技术

电子产品的使用已经在人们的生活中占有非常重要的角色，而电子产品在工艺中最重要的部分便是基板，于基板上进行各种的沉积、显影及蚀刻等技术，其中基板的材料包含硅晶圆、蓝宝石基板（sapphire）、氮化镓等材料，此外，基板可为平片（planar）以及图腾基板（pattern sapphire substrate）等形式。随着基板的取得成本越来越高，如何有效利用基板也成为厂商降低成本的重要课题之一。而随着工艺技术复杂度以及难度的提高，制作过程中难保不会出现蚀刻或沉积错误的状况，而必须废弃基板。

为了提高基板的使用率，如美国专利公开第20050092349号的“Method ofreclaiming silicon wafers”，其披露了一种回收硅晶圆的方法，通过回收曾使用于半导体装置工艺中的硅晶圆或因工艺错误产出的硅晶圆，以降低硅晶圆的废弃率。其中，为了去除硅晶圆上因为先前工艺所遗留的残留物，可利用高温烘烤的方式先行破坏该残留物，再进行后续清洁去除的流程。

请配合参阅图1A及图1B所示，其为传统基板的加热腔体，该加热腔体内设置有多个实心加热管、一放置平台以及一设置于该放置平台上的容置架，这些实心加热管设置于该加热腔体的内表面，而待处理的基板则放置于该容置架内，该容置架可于该放置平台上进行位移，藉此方便工作人员进行取放基板。此传统的加热腔体具有几个缺点：

一、实心的加热管重量重，加热的速度也慢，而降低整体效率。

二、平板形式的放置平台会遮断位于该加热腔体底部的实心加热管，而使基板加热区域不平均，进而影响后续处理。

三、容置架无法稳固的放置于平板形式的放置平台上，容易因为工作人员该容置架的取放时，偏移原本位置，而碰触到这些实心加热管，而损坏这些实心加热管。

四、由于该放置平台为平板形式，因此容置架放置于其上的位置变动率较大，也即，该容置架每次放置的位置可能都不一样，而造成每一批基板处理的环境条件都不同，进而影响工艺准确率。

因此，制作厂商亟欲寻求改良方式，以提高整体使用效率以及使用的稳定度。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于避免基板无法均匀加热的问题。

为达上述目的，本实用新型提供一种加热炉，该加热炉包含有一加热腔体、多个加热件、两个轨道以及一放置架。该加热腔体具有一前端、一远离该前端的后端、一位于该前端与该后端之间的加热空间和一围绕该加热空间的腔体内表面；加热件间隔地设置于该腔体内表面；两个彼此的轨道，该轨道均在该前端与该后端之间延伸并各自设置在至少两个相邻的该加热件之间，该轨道之间形成有一与该加热空间连通的流通口；该放置架自该前端经该轨道滑移进入该加热空间内，该放置架包含有两个分别与该轨道对应的滑移部、以及一设置于该滑移部之间供容置至少一待加热物的容置槽，该容置槽具有一与该流通口相互连通的底部开口，使该待加热物的一底侧区域裸露于该加热空间。

进一步地，轨道分别具有一滑轨部及一连接于滑轨部与加热腔体的支撑部。

进一步地，滑轨部分别具有一第一接触壁及一垂直于第一接触壁的第二接触壁，第一接触壁及第二接触壁与放置架接触滑移。

进一步地，滑移部与第一接触壁及第二接触壁相对应而为一直角缺口。

进一步地，轨道分别具有至少一设置于滑轨部上以挡制放置架的定位件。

进一步地，加热件为中空圆柱状结构，并且加热件具有一外加热壁以及一内加热壁。

进一步地，加热炉还具有一容置加热腔体的外罩壳体，外罩壳体具有分别对应地设置于加热腔体的前端与后端的一取放闸门与一冷却动力模块；在外罩壳体与加热腔体之间的对应于取放闸门与冷却动力模块的位置分别形成一进气空间以及一冷却空间，且在外罩壳体与加热腔体之间的对应于腔体内表面的位置形成一流动空间，所述流动空间与进气空间以及冷却空间连通。

进一步地，冷却动力模块具有一对应地设置于加热腔体的轴心位置的气体抽出部以及至少一冷以加热腔体的轴心为圆心的却环，气体抽出部抽出加热腔体内的气体后，气体经由至少一冷却环进行冷却并被推向流动空间以及进气空间且进入加热腔体内。

进一步地，冷却环为中空的并且冷却环内填充有一冷却流体。

由上述说明可知，本实用新型具有下列特点：

一、利用形成于该两个轨道之间的该流通口以及该放置架上与该流通口相通的该底部开口，减少该待加热物与该加热件之间的热能传递阻碍，因此，这些加热件产生的热能可通过热辐射、热传导和热对流的途径通过该放置架有效地传递至该待加热物。