[实用新型]加热炉有效
申请号: | 201320079166.8 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN203205389U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 余常晖;曾文正 | 申请(专利权)人: | 富强半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B17/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热炉 | ||
1.一种加热炉,其特征在于,所述加热炉包括有:
一加热腔体,所述加热腔体具有一前端、一远离所述前端的后端、一位于所述前端与所述后端之间的加热空间和一围绕所述加热空间的腔体内表面;
多个间隔地设置于所述腔体内表面的加热件;
两个彼此间隔的轨道,所述轨道均在所述前端与所述后端之间延伸并各自设置在至少两个相邻的所述加热件之间,所述轨道之间形成有一与所述加热空间连通的流通口;以及
一自所述前端经所述轨道滑移进入所述加热空间内的放置架,所述放置架包含有两个分别与所述轨道对应的滑移部、以及一设置于所述滑移部之间供容置至少一待加热物的容置槽,所述容置槽具有一与所述流通口相互连通的底部开口,使所述待加热物的一底侧区域裸露于所述加热空间。
2.根据权利要求1所述的加热炉,其特征在于,所述轨道分别具有一滑轨部及一连接于所述滑轨部与所述加热腔体的支撑部。
3.根据权利要求2所述的加热炉,其特征在于,所述滑轨部分别具有一第一接触壁及一垂直于所述第一接触壁的第二接触壁,所述第一接触壁及所述第二接触壁与所述放置架接触滑移。
4.根据权利要求3所述的加热炉,其特征在于,所述滑移部与所述第一接触壁及所述第二接触壁相对应而为一直角缺口。
5.根据权利要求2所述的加热炉,其特征在于,所述轨道分别具有至少一设置于所述滑轨部上以挡制所述放置架的定位件。
6.根据权利要求1所述的加热炉,其特征在于,所述加热件为中空圆柱状结构,并且所述加热件具有一外加热壁以及一内加热壁。
7.根据权利要求1所述的加热炉,其特征在于,所述加热炉还具有一容置所述加热腔体的外罩壳体,所述外罩壳体具有分别对应地设置于所述加热腔体的所述前端与所述后端的一取放闸门与一冷却动力模块;在所述外罩壳体与所述加热腔体之间的对应于所述取放闸门与所述冷却动力模块的位置分别形成一进气空间以及一冷却空间,且在所述外罩壳体与所述加热腔体之间的对应于所述腔体内表面的位置形成一流动空间,所述流动空间与所述进气空间以及所述冷却空间连通。
8.根据权利要求7所述的加热炉,其特征在于,所述冷却动力模块具有一对应地设置于所述加热腔体的轴心位置的气体抽出部以及至少一以所述加热腔体的轴心为圆心的冷却环。
9.根据权利要求8所述的加热炉,其特征在于,所述冷却环为中空的并且所述冷却环内填充有一冷却流体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造