[发明专利]加工条形基材的装置和方法无效
| 申请号: | 201310757363.5 | 申请日: | 2013-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN103834935A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | K·B·K·泰奥;N·L·鲁佩辛格 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/455;C23C16/26 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加工 条形 基材 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种在处理室中对条形基材进行加工、尤其进行镀膜的装置,所述装置具有在处理室中围绕旋转轴可旋转地支承的加工辊,从第一卷轴退绕的基材以螺旋状铺放在所述加工辊外表面上的状态被连续加工、尤其被镀膜,其中,经过加工、尤其经过涂层的基材被卷绕在第二卷轴上。
现有技术
文献JP2005-133165A描述了这种装置。加工辊是布置在壳体的圆柱形空腔中的圆柱体。
文献WO2011/081440A2描述了一种装置,其中,加工辊局部浸没在浴槽之中。
文献WO2012/134205A1描述了一种装置,其中,条形基材连续通过处理室。这里没设有加工辊。
文献US2012/0234240A1和文献US2011/0195207A1也描述石墨烯镀膜装置,其中,条形基材穿过处理室,并在该处被镀膜。在不使用加工辊的情况下完成该过程。
文献WO2012/0287776A1描述了一种装置,其中,待镀膜的条形基材多次转向,用以随后穿过圆弧形的处理室,在该处理室中,基材被放置在多个滚轮上。处理室的径向外壁构成多个喷头,通过这些喷头将工艺气体导入到处理室。垂直于条形基材的延伸平面进行工艺气体的导入。
文献EP2360293A1描述了一种类似的装置。这里也是在环形槽状的处理室中对基材进行镀膜。但是基材并非放置在多个滚轮上,而是平躺在一个辊筒上。这里也是相对于处理室的轴线沿径向输入气体。
文献US6,630,058B2描述了一种用于条形基材的镀膜装置,其中,靶材沿径向布置加工辊旁边。从所述靶材溅射出的导电材料沿径向抵达基材。
文献GB2458776A描述了一种对穿过狭长处理室的连续基材进行镀膜的装置。基材通过处理室的一端进入,然后重新出来。环形的转向装置位于处理室的另一端上。这里没设有加工辊。
文献US2011/0315657A1描述了一种对连续基材进行镀膜的镀膜装置,不使用转向装置的情况下引导连续基材穿过处理室。
文献US5,932,302描述了一种给连续基材涂覆含碳镀膜的装置,其中,沿着加工辊的表面引导基材。沿径向向加工辊输送原料。
文献US5,711,814A描述了一种将薄膜沉积在基材上的方法,其中设有一个旋转的电极,基材被输送经过所述电极。将反应气体送入基材表面与电极表面之间的间隙之中,在这里形成等离子体。
文献EP0782176B1描述了一种将镀层沉积到连续输送的带状基材上的方法。为输送基材,主要设有具有沿轴向弯曲的表面的辊筒。
文献EP1999296B1描述了对条形基材进行镀膜的装置和方法。所述基材通过加工辊被导引。工艺气体导入机构位于加工辊旁边,所述工艺气体导入机构将工艺气体送入到工艺气体导入机构与基材之间的间隙中。所形成的气流可以在该间隙中要么沿加工辊的圆周方向流动要么沿加工辊的轴向流动。
文献EP21113585A1描述了由多个辊筒构成的、用于输送条形基材穿过处理室的输送装置,将加工辊布置在所述处理室之中,基材放置在所述加工辊上。利用进气机构在基材与进气机构之间的间隙中导入工艺气体。
文献WO2010/144302A1描述了一种将镀层涂覆在条形基材上的CVD(化学气相沉积)涂覆装置,其中,所述基材被导引穿过多个前后布置的处理室。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种装置以及一种方法,利用所述装置和方法可以将其用来给连续运行的条形基材涂覆上石墨烯膜或者纳米管膜,并且与现有技术中已知的装置以及方法相比具有工艺技术优势。
所述技术问题是通过一种根据本发明的在处理室中对条形基材进行加工、尤其进行镀膜的装置和方法解决的所述装置具有在处理室中围绕旋转轴可旋转地支承的加工辊,从第一卷轴退绕的基材以螺旋状铺放在所述加工辊外表面上的状态被连续加工、尤其被镀膜,其中,经过加工、尤其经过镀膜的基材卷绕在第二卷轴上,其中,设有进气/排气装置,用以产生基本上平行于旋转轴定向的气流,所述气流形成围绕加工辊的整个环周延伸的气流场。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





