[发明专利]一种传输装置及等离子体加工设备在审
申请号: | 201310750803.4 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN104752291A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 文莉辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传输 装置 等离子体 加工 设备 | ||
本发明提供一种传输装置及等离子体加工设备,该传输装置用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送,传输装置包括承载部和旋转驱动机构,其中承载部用于承载基片;旋转驱动机构的驱动轴与承载部相连接,旋转驱动机构用于驱动承载部围绕驱动轴旋转,以使承载部在旋转的过程中可分别位于工艺腔室内设置的预设位置和装卸腔室内设置的取放片位置。本发明提供的传输装置,其可以降低投入成本,从而可以提高经济效益。
技术领域
本发明属于半导体设备制造技术领域,具体涉及一种传输装置及等离子体加工设备。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,以下简称PVD)设备是应用比较广泛的等离子体加工设备,主要用于在基片的表面上沉积薄膜。
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图1,该等离子体加工设备包括工艺腔室10、传输腔室11和装卸腔室12,并且传输腔室11与工艺腔室10和装卸腔室12分别连通,且在相邻的两个腔室之间还设置有门阀13,用于控制相邻两个腔室的连通或者断开。其中,传输腔室11内设置有真空机械手111,真空机械手用于将位于装卸腔室12内未进行工艺的基片传输至工艺腔室10内以及将位于工艺腔室10内已完成工艺的基片传输至装卸腔室12;工艺腔室10用于对位于其内的基片进行工艺;装卸腔室12内设置有片盒121,该片盒121在竖直方向上设置多个用于承载基片的承载位,因此,通常借助真空机械手111和/或片盒121的升降来实现对每个承载位传输基片,并且在装卸腔室12的一侧还设置有开门122,经由该开门122以实现对装卸腔室12内的基片进行装卸。
然而,采用上述的等离子体加工设备在实际应用中不可避免的会存在以下技术问题:由于真空机械手111成本高,这会导致等离子体加工设备的成本大大升高。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题,提供了一种传输装置及离子体加工设备,其可以采用简单结构的传输装置代替现有的高成本的真空机械手,从而可以降低投入成本,进而可以提高经济效益。
本发明提供一种传输装置,用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送,所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构,所述承载部用于承载基片;所述旋转驱动机构的驱动轴与所述承载部相连接,所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕所述驱动轴旋转,以使所述承载部在旋转的过程中可分别位于所述工艺腔室内设置的预设位置和所述装卸腔室内设置的取放片位置。
其中,所述承载部相对所述驱动轴为摆臂结构,所述承载部包括固定端和延伸端,所述固定端与所述驱动轴固定;所述延伸端用于承载所述基片,所述延伸端沿水平方向朝远离所述驱动轴的方向延伸。
其中,在所述装卸腔室内设置片盒,所述片盒在竖直方向上设置有多个用于承载所述基片的承载位,每个所述承载位包括位于所述基片的边缘区域且沿其周向间隔设置的至少三个承载件,并且所述片盒在位于每个承载位上的所述基片的外周壁的外侧且沿所述基片的周向间隔形成有至少三个固定件,所述承载部的延伸端设置为:在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中,所述延伸端的任意位置处不与所述固定部和所述承载件相接触。
其中,在所述装卸腔室内设置有用于承载所述基片至少三个顶针,所述承载部的延伸端设置为:在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中,所述延伸端的任意位置处不与所述顶针相接触。
其中,在所述装卸腔室内还设置有装卸升降机构,所述装卸升降机构用于驱动所述片盒进行升降,以实现将位于每个所述承载位上的基片装载至位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上,以及将位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上的所述基片卸载至每个所述承载位上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造