[发明专利]AMOLED阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种AMOLED阵列基板及显示装置。

背景技术

对于顶发射的AMOLED显示装置，阴极采用透明电极（如：ITO）形成，而且是一整块覆盖在阵列基板上的块状电极，因此阴极的电阻很高。阴极电阻很高，会增大IR drop，过大的IR drop会影响画面的均一度。为了降低IR drop，现有方案中使用阴极辅助线来降低IRdrop，如图1所示，在阵列基板上非像素区域，形成与阴极位于不同层的若干阴极辅助线，通常是与阳极和/或栅线（或信号线）同时形成，如图1中阴极辅助线120与阳极110采用同种材料且同时形成，两者位于同一层。阴极辅助线120与位于上层的阴极通过条形过孔130连接（图1中，阴极辅助线120在整个基板上呈网状图形，条形过孔130交错呈网状图形）。这相当于阴极辅助线120与阴极并联，从而降低了阴极的电阻，因此降低了IR drop。但要在像素区域（显示区域）边缘布设若干阴极辅助线120，且要形成条形过孔130，形成工艺较复杂，而且这样使得阴极辅助线120宽度较宽，使得有机发光层的区域相对减小，即发光区域变小，因此会导致整个显示装置的开口率降低。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何在降低IR drop的情况下减小对开口率的影响。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，还包括：与信号线平行的第一阴极辅助线，所述第一阴极辅助线至少通过两个第一过孔连接所述阴极。

其中，所述第一过孔位于所述第一阴极辅助线与栅线相交的区域。

其中，还包括与阳极同层形成且位于栅线对应区域的第二阴极辅助线，所述第二阴极辅助线通过所述第一过孔连接所述第一阴极辅助线。

其中，还包括与所述栅线平行的第三阴极辅助线，所述点状第一过孔位于第一阴极辅助线与所述第三阴极辅助线相交的区域，所述第一阴极辅助线通过设置在所述点状第一过孔对应区域的至少两个第二过孔与所述第三阴极辅助线连接。

其中，还包括与阳极同层形成且位于栅线对应区域的第四阴极辅助线，所述第四阴极辅助线通过所述第一过孔连接所述第一阴极辅助线。

其中，还包括与阳极同层形成且位于第三阴极辅助线对应区域的第四阴极辅助线，所述第四阴极辅助线通过所述第一过孔连接所述第一阴极辅助线。

其中，还包括与阳极同层形成且位于第三阴极辅助线与所述第一阴极辅助线交叉区域的连接电极，所述连接电极通过所述第一过孔连接所述第一阴极辅助线。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的AMOLED阵列基板。

（三）有益效果

本发明中，阴极通过至少两个点状第一过孔连接与信号线同层设置的第一阴极辅助线，使得阴极与第一阴极辅助线并联降低了阴极电阻，同时点状第一过孔相对于条状过孔制作工艺简单，而且使得第一阴极辅助线的宽度可以做的更小，减小了对开口率的影响，相对于现有技术增加大了开口率。

附图说明

图1是现有技术的一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图2a是本发明实施例的一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图2b图2a中AMOLED阵列基板沿A-A的截面示意图；

图3a是本发明实施例的另一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图3b图3a中AMOLED阵列基板沿A-A的截面示意图；

图4a是本发明实施例的又一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图4b图4a中AMOLED阵列基板沿A-A的截面示意图；

图4c是本发明实施例的又一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图4d是本发明实施例的又一种AMOLED阵列基板结构示意图；

图4e图4d中AMOLED阵列基板沿A-A的截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。