[发明专利]AMOLED阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310749874.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103715205A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 永山和由 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled 阵列 显示装置 | ||
1.一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，其特征在于，还包括：与信号线平行的第一阴极辅助线，所述第一阴极辅助线至少通过两个点状第一过孔连接所述阴极。
2.如权利要求1所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，所述点状第一过孔位于所述第一阴极辅助线与栅线相交的区域。
3.如权利要求2所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，还包括与阳极同层形成且位于栅线对应区域的第二阴极辅助线，所述第二阴极辅助线通过所述点状第一过孔连接所述第一阴极辅助线。
4.如权利要求1所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，还包括与所述栅线平行的第三阴极辅助线，所述点状第一过孔位于第一阴极辅助线与所述第三阴极辅助线相交的区域，所述第一阴极辅助线通过设置在所述点状第一过孔对应区域的至少两个点状第二过孔与所述第三阴极辅助线连接。
5.如权利要求4所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，还包括与阳极同层形成且位于栅线对应区域的第四阴极辅助线，所述第四阴极辅助线通过所述点状第一过孔连接所述第一阴极辅助线。
6.如权利要求4所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，还包括与阳极同层形成且位于第三阴极辅助线对应区域的第四阴极辅助线，所述第四阴极辅助线通过所述点状第一过孔连接所述第一阴极辅助线。
7.如权利要求4所述的AMOLED阵列基板，其特征在于，还包括与阳极同层形成且位于第三阴极辅助线与所述第一阴极辅助线交叉区域的连接电极，所述连接电极通过所述点状第一过孔连接所述第一阴极辅助线。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7中任一项所述的AMOLED阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310749874.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全玻璃真空平板集热器
- 下一篇：一种折射式太阳能二次聚集器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
