[发明专利]有机发光二极管的封装方法及有机发光二极管器件有效
申请号: | 201310741267.1 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103682178A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王丹;洪瑞;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 封装 方法 器件 | ||
1.一种有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,包括:
对第一玻璃基板进行清洗;
对清洗后的所述第一玻璃基板进行干燥处理;
对干燥处理后的所述第一玻璃基板进行除静电处理;
将玻璃封装胶以闭合图形的方式沉积在所述第一玻璃基板上以形成封装框;
对所述封装框进行加热;
将有机发光二极管沉积在第二玻璃基板上;
将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板对齐压合;
加热烧融后的所述封装框冷却固化后,通过激光烧结将所述封装框再次烧融固化以在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间形成密封边界。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述对干燥处理后的所述第一玻璃基板进行除静电处理的步骤包括:
将静电消除器在干燥处理后的所述第一玻璃基板上沿需涂覆所述玻璃封装胶的轨迹移动,以对所述第一玻璃基板进行除静电处理。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述将玻璃封装胶以闭合图形的方式涂覆在所述第一玻璃基板上以形成封装框的步骤包括:
将玻璃封装胶涂料设备的出料头放置在所述静电消除器的后端,在所述静电消除器对所述第一玻璃基板进行除静电处理后,将所述玻璃封装胶涂覆在除静电后的所述第一玻璃基板上以形成所述封装框。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述将玻璃封装胶以闭合图形的方式涂覆在所述第一玻璃基板上以形成封装框的步骤包括:
当使用所述静电消除器对所述第一玻璃基板的需涂覆所述玻璃封装胶的轨迹除静电完成后,采用丝网印刷的方法将所述玻璃封装胶以闭合图形的方式涂覆在所述第一玻璃基板上以形成所述封装框。
5.如权利要求3或4所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述静电消除器包括一静电刷,所述静电刷的尖端与所述第一玻璃基板的接触宽度小于1毫米。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述对所述封装框进行加热的步骤包括:
对所述封装框进行预烘以除去所述封装框的玻璃封装胶中的溶剂;
将预烘后的所述封装框进行加热处理以除去所述封装框的玻璃封装胶中的有机物。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板对齐压合的步骤之前还包括:
在所述封装框内填充环氧树脂。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,当所述有机发光二极管器件为底发射器件时,在所述封装框内填充环氧树脂的步骤之后,将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板对齐压合的步骤之前,对所述环氧树脂进行紫外线照射使其固化。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,当所述有机发光二极管器件为顶发射器件时,所述在所述封装框内填充环氧树脂的步骤之后,利用所述环氧树脂固化滞后的性质,首先对所述环氧树脂进行紫外线照射,然后执行将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板对齐压合的步骤,使得所述环氧树脂在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板对齐压合后固化。
10.如权利要求1或7所述的有机发光二极管器件的封装方法,其特征在于,所述将玻璃封装胶以闭合图形的方式沉积在所述第一玻璃基板上以形成封装框的步骤之后还包括:
在所述封装框的外侧添加环氧树脂,以提高所述封装框的机械强度。
11.一种有机发光二极管器件,其特征在于,采用如权利要求1-10任一项所述的方法进行封装,所述有机发光二极管器件包括:
采用玻璃封装胶形成的封装框封装的第一玻璃基板和第二玻璃基板,所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板封装后形成一密封空间;
有机发光二极管,位于所述密封空间内,设置于所述第二玻璃基板上。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管器件,其特征在于,还包括:
填充于所述密封空间内的环氧树脂。
13.如权利要求11或12所述的有机发光二极管器件,其特征在于,还包括:
设置于所述封装框外侧的环氧树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择