[发明专利]用于增强ESD保护的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

第一阻断结，其在具有第一导电类型的第一阱与具有第二导电类型的半导体材料层之间；

至少第二阻断结，其在具有所述第一导电类型的第二阱与所述半导体材料层之间；以及

浮动连接件，其耦合到所述第一阻断结和所述至少第二阻断结的，其中所述浮动连接件能够将与流过所述第一阻断结的电流相关联的偏压耦合到所述至少第二阻断结，并从而使所述第一阻断结和所述至少第二阻断结能够基本上同时触发和导通电流。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其还包括：

第三阻断结，其在所述第一阱与所述半导体材料层之间；

第四阻断结，其在所述第二阱和所述半导体材料层中；以及

耦合到所述第三阻断结和所述第四阻断结的所述浮动连接件，其中使所述第三阻断结和所述第四阻断结由此能够基本上与所述第一阻断结和所述至少第二阻断结同时触发和导通电流。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其还包括：

第一阱连接件，其具有所述第一导电类型、在所述至少第一阻断结与所述浮动连接件之间连接；以及

第二阱连接件，其具有所述第一导电类型、在所述第三阻断结与所述浮动连接件之间连接。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其还包括：

多个指状物，其中在所述多个指状物中的第一指状物中布置所述第一阱，并且在所述多个指状物中的第二指状物中布置所述第二阱。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一阻断结包括在第一可控硅整流器(SCR)装置中的结，并且所述至少第二阻断结包括在第二SCR装置中的结。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一阻断结包括在第一双极结型晶体管(BJT)装置中的结，并且所述至少第二阻断结包括在第二BJT装置中的结。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体结构包括多个NPN触发的或PNP触发的SCR电压箝位器。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体结构包括多个NPN或PNP BJT电压箝位器。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其还包括：

第三阱，其具有第二导电类型；以及

第四阱，其具有第二导电类型，其中将所述第三阱和所述第四阱耦合到所述半导体结构的阳极连接端，并且将所述第一阱的阱连接件和所述第二阱的阱连接件耦合到所述半导体结构的阴极连接端。

10.一种半导体结构，其包括：

第一阻断区域，其在具有第一导电类型的第一半导体区域的一部分与具有第二导电类型的第二半导体区域之间形成，其中在所述第二半导体区域的表面上形成所述第一半导体区域；

第二阻断区域，其在具有所述第一导电类型的第三半导体区域的一部分与具有所述第二导电类型的所述第二半导体区域之间形成；以及

浮动连接件，其耦合到所述第一半导体区域和所述第三半导体区域。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一半导体区域为第一阻断阱，所述第三半导体区域为第二阻断阱，并且将所述浮动连接件电耦合到所述第一阻断阱的阱联接件和所述第二阻断阱的阱联接件。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述浮动连接件使所述第一阻断区域和所述第二阻断区域能够基本上同时触发和导通电流。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述第一阻断区域为SCR或BJT的第一阻断结，所述第二阻断区域为所述SCR或所述BJT的第二阻断结，并且通过静电放电(ESD)事件的发生触发所述第一阻断结和所述第二阻断结。

14.一种半导体结构，其包括：

多个指状物，其中所述多个指状物的每个指状物包括多个电压箝位器，并且所述多个电压箝位器的每个电压箝位器至少包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及

连接件，其在所述多个电压箝位器中的第一电压箝位器的所述第一阱的阱联接件与所述多个电压箝位器中的第二电压箝位器的所述第一阱的阱联接件之间，其中所述连接件能够将与所述第一电压箝位器中的电流流动相关联的偏压耦合到所述第二电压箝位器，并从而使所述第一电压箝位器和所述第二电压箝位器能够基本上同时触发接通。