[发明专利]减压干燥装置以及减压干燥方法有效
申请号: | 201310706279.0 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103903959A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 柿村崇 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本京都市上京区堀川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减压 干燥 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种减压干燥装置以及减压干燥方法,对形成于被处理基板上的涂布液在减压状态下实施干燥处理。
背景技术
从前,在基板处理装置(例如,液晶面板制造装置等)中,已知有减压干燥装置,所述减压干燥装置对在基板表面涂布有涂布液的基板实施减压干燥处理。例如,在光刻(photolithography)步骤中使用减压干燥装置,以使涂布于玻璃基板等被处理基板上的抗蚀液的涂布膜在预烘干(prebaking)之前适度地干燥。
现有的具有代表性的减压干燥装置例如,如专利文献1所记载,将基板水平地载置于基板支撑构件上之后,关闭腔室而进行减压干燥处理,所述基板支撑构件配设于可开闭的腔室内的适当高度。
在这种减压干燥处理中,首先,通过设置于腔室内的排气口,藉由外部的真空泵来进行腔室内的真空排气。藉由所述真空排气,腔室内的压力从在此之前的大气压状态变为减压状态,在所述减压状态下溶剂成分从基板上的蚀刻涂布膜蒸发。接着,在腔室内的压力被减低至固定压力为止的时点,结束腔室内的减压。然后,从设置于腔室内的供给口喷出或扩散释放出惰性气体(例如氮气)或者空气,使腔室内的压力恢复至大气压(使压力恢复)。当腔室内压力恢复后,提起上部腔室而打开腔室,搬出基板。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2011-64400号公报
发明内容
在这种减压干燥处理中,存在如下情况:在所述压力恢复的步骤中,伴随着腔室内的压力急剧上升,悬浮于腔室内的溶剂成分变为液滴。并且,如果变为液滴的溶剂成分附着于基板的表面上,那么对所述基板来说会因残渣而引起缺陷,从而导致良率下降。
作为用于防止溶剂成分变为液滴的构成,通常在这种减压干燥装置中设置测量腔室内的压力的压力传感器(sensor)。并且,以腔室内的压力被减低至固定压力(溶剂成分得以充分干燥的压力)为止之后开始进行压力恢复步骤的方式而进行顺序控制(sequence control),由此可以降低溶剂成分变为液滴的可能性。但是,由于近年来的基板的大型化、以及伴随于此的腔室的大型化,即使在腔室内,在各个部分所产生的压力的差也增大,从而难以藉由所述压力传感器来充分掌握腔室内整体的压力状态(溶剂成分是否已干燥)。
而且,根据减压干燥装置的使用形态,还存在如下情况:在减压步骤中不使压力减低至所述固定压力为止便开始进行压力恢复步骤。在所述情况下,即使可以藉由压力传感器来完全掌握腔室内的压力状态,在减压步骤中未能完全去除腔室内的溶剂成分的状态下执行压力恢复步骤,溶剂成分也有可能变为液滴。
作为用于解决这种“由溶剂成分的液滴化所引起的残渣缺陷”的问题的方法,已知有如下方法:藉由在压力恢复步骤中以微弱的供气压缓慢地使腔室内压力恢复,来防止腔室内的压力急剧上升。但是,在所述情况下,会产生“减压干燥处理的处理时间增大”的新问题。
本发明是为了解决所述问题而开发的,目的在于提供一种减压干燥装置,降低由溶剂成分的液滴化所引起的基板的残渣缺陷的可能性,并且不增大减压干燥处理的处理时间。
为了解决所述问题,技术方案1所述的发明是一种减压干燥装置,对基板进行减压干燥处理,所述基板包括第1主面及第2主面,并且在所述第1主面上上涂布有包含溶剂的涂布液,所述减压干燥装置的特征在于:包括腔室,收纳所述基板;支撑部,在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板;排气部,通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气;供气部,通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气;以及控制部,控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气,并且在所述供气口中,包含至少一个一侧供气口,所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向,从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第1空间区域内开口,在所述腔室内进行基板的减压干燥后,所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时,使用所述一侧供气口对所述腔室内供气,由此至少在所述基板的所述第1主面上形成单向气流,所述单向气流沿所述水平方向,从所述第1空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
技术方案2所述的发明根据技术方案1所述的减压干燥装置,其特征在于:当关于所述腔室的内部空间,以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界,定义出所述第1主面侧的第1部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时,所述一侧供气口设置于所述第2部分空间,并且向所述第1部分空间开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造