[发明专利]包括在器件上组装的分立天线的封装结构

权利要求书

1.一种形成封装结构的方法，包括：

在器件的背面形成分立的天线，其中，所述分立的天线包括天线衬底；

穿过所述天线衬底，形成穿过天线衬底的通孔，其中，所述穿过天线衬底的通孔垂直地设置成穿过所述天线衬底；

将所述穿过天线衬底的通孔与垂直地设置于所述器件内的穿过衬底的通孔耦合；以及

将所述器件与封装衬底耦合。

2.如权利要求1所述的方法，还包括形成与所述穿过天线衬底的通孔垂直耦合并设置于所述分立的天线的顶部部分的辐射元件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述天线衬底包括导电材料和介电材料的交替层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述辐射元件包括导电材料和介电材料的交替层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述天线衬底包括玻璃、无掺杂的硅和液晶聚合物中的至少一种。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述穿过天线衬底的通孔通过导电结构和金属与金属的接合中的一种来耦合到所述穿过衬底的通孔。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述天线衬底包括至少大约30GHz的频率。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，耦合到所述穿过衬底的通孔的所述穿过天线衬底的通孔能够传播毫米波信号。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在所述分立的天线的底部部分上形成接地天线触点。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述接地天线触点耦合到垂直地设置于所述器件中的接地的穿过衬底的通孔。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件包括其中包括毫米波无线电的芯片上的系统。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件的有源面通过直接金属与金属接合和通过焊球点中的一种来与封装衬底耦合。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装衬底包括多层封装衬底。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装衬底包括BBUL封装衬底，其中，所述器件部分地嵌入在所述BBUL封装衬底内。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分立的天线包括小于器件能够在其内操作的频率范围的物理尺寸。

16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述接地的穿过衬底的通孔与所述穿过衬底的通孔相邻。

17.如权利要求1所述的方法，还包括在所述器件上形成多个分立的天线。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二器件层叠在所述器件上，并与所述分立的天线相邻。

19.如权利要求18所述的方法，还包括形成辐射屏蔽层以包围所述器件和所述第二器件。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二器件包括存储器件。

21.一种封装结构，包括：

设置于第一器件的背面的分立的天线，其中，所述分立的天线包括天线衬底；

穿过天线衬底的通孔，其中，所述穿过天线衬底的通孔垂直地设置成穿过所述天线衬底；

垂直地设置于所述第一器件内并与所述穿过天线衬底的通孔耦合的穿过衬底的通孔；以及

与所述第一器件的有源面耦合的封装衬底。

22.如权利要求21所述的封装结构，还包括与所述穿过天线衬底的通孔垂直耦合并设置于所述分立的天线的顶部部分上的辐射元件。

23.如权利要求21所述的封装结构，其特征在于，所述天线衬底包括玻璃、无掺杂的硅和液晶聚合物中的至少一种。

24.如权利要求21所述的封装结构，其特征在于，所述天线衬底包括导电材料和介电材料的交替层。

25.如权利要求22所述的封装结构，其特征在于，所述辐射元件包括导电材料和介电材料的交替层。