[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的有机电致发光器件中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且，使激子复合的区域不在发光区域，从而使器件发光效率降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述电子注入层可以提高有机电致发光器件的发光效率。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物层设置在所述电子传输层表面上，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC71BM），所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）、3-辛基噻吩（3OT）或3-十二烷基噻吩（3DDT），所述金属氧化物层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。

优选地，所述富勒烯衍生物层的厚度为5nm～20nm，所述噻吩类化合物层的厚度为1nm～10nm，所述金属氧化物层的厚度为20nm～50nm。

优选地，所述导电阳极为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），厚度为50nm～300nm，更优选地，所述导电阳极为ITO，厚度为120nm。

优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），厚度为20nm～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO₃，厚度为40nm。

优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为NPB，厚度为27nm。

优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5nm～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq₃，厚度为17nm。

优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40nm～250nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TPBi，厚度为105nm。

优选地，所述阴极层的材质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），所述阴极层的厚度为80nm～250nm，更优选地，所述阴极层的材质为Ag，厚度为150nm。