[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物层设置在所述电子传输层表面上，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯衍生物层的厚度为5nm～20nm，所述噻吩类化合物层的厚度为1～10nm，所述金属氧化物层的厚度为20nm～50nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或N-芳基苯并咪唑。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层材质为银、铝、铂或金。

8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，然后在所述阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；

（2）在所述电子传输层上制备电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述电子注入层的制备包括：

在所述电子传输层上采用热阻蒸镀的方法制备富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，所述蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；

在所述富勒烯衍生物层上采用热阻蒸镀的方法制备噻吩类化合物层，所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，所述蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；

在所述噻吩类化合物层上采用热阻蒸镀的方法制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述热阻蒸镀时压强为5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；

（3）在所述电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备阴极，得到所述有机电致发光器件。

9.如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述富勒烯衍生物层的厚度为5nm～20nm，所述噻吩类化合物层的厚度为1nm～10nm，所述金属氧化物层的厚度为20nm～50nm。