[发明专利]液晶显示装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310698949.9 申请日: 2013-12-18
公开(公告)号: CN104423112A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 申珉喆;赵范植;柳程弼;饭田治久 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

随着诸如移动通信终端和笔记本电脑的多种便携式电子设备的发展,对用于这些设备的平板显示装置的需求不断增加。作为平板显示装置,研究了液晶显示装置、等离子体显示面板、场发射显示装置和发光二极管显示装置等。

在平板显示装置中,液晶显示装置由于大规模生产技术发展、便于驱动、低功耗以及实现高图像质量和宽屏幕等优点使得应用正在扩大。

通常的液晶显示装置包括:其中下基板与上基板通过液晶层彼此面对地结合的液晶面板,和向液晶面板施加驱动电压和信号的驱动电路。液晶显示装置响应于图像信号,根据数据电压控制穿过分别设置在多个单元(像素)中的液晶层的透光率,从而显示图像。

图1示出传统的液晶显示装置。

参照图1,传统的液晶显示装置包括:下基板10(TFT阵列基板),上基板30(滤色器阵列基板),液晶层20,粘接层40,静电放电层50和偏振膜60。

下基板10包括形成在下玻璃基板12上的像素阵列14。像素阵列包括薄膜晶体管(TFT),用于切换像素、公共电极和像素电极。

上基板30包括形成在上玻璃基板32上的RGB滤色器34,形成在滤色器34之间以防止彩色光混合的黑矩阵36,和用于使上基板30平坦化的上覆盖层38。

液晶层20形成在下基板10和上基板30之间。

由铟锡氧化物(ITO)形成的静电放电层(ESD层)40形成在上基板30上。粘接层50形成在静电放电层40上并且偏振膜60形成在粘接层50上。

对于包括上述结构的传统的液晶显示装置,在清洁操作或制造工艺的粘合偏振片60期间会产生静电,并且在驱动以进行图像显示期间会产生静电。为了去除静电,形成静电放电层50。

在这方面,作为静电放电层50的材料ITO由于电阻相对高而具有静电放电性能低的缺点。具体而言,未从静电放电层50有效地释放的静电渗透到黑矩阵36,上覆盖层38和形成有像素的有源区,从而导致诸如模糊的缺陷。

发明内容

本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法,所述液晶显示装置基本上克服了由于现有技术的限制和缺点所造成的一个或多个问题。

在本发明的一个目的是提供一种有效防止由于静电而造成的损坏以及模糊缺陷的液晶显示装置及其制造方法。

在下面的描述中将说明本发明的其他特征和优点,部分特征和优点将在描述中变得显而易见,或者可通过对本发明的实施而获悉。通过在本申请说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构,将实现和获得本发明的目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的,如在此具体和概括描述的,提供一种液晶显示装置,包括:彼此接合以彼此面对的第一和第二基板;与有源区域的各像素对应地形成在第一基板上的薄膜晶体管;形成在第一基板上的非有源区中的第一放电线,所述第一放电线围绕有源区;形成在第一基板的整个表面上的保护层,所述保护层覆盖薄膜晶体管和第一放电线;在第一基板上围绕非有源区中的第一放电线的外部区域的第二放电线,所述第二放电线形成在保护层上;穿过保护层以暴露第一放电线的一部分的多个接触孔,所述接触孔沿第一放电线彼此间隔预定的距离;从第二放电线分支的连接图案,所述连接图案覆盖相应的接触孔;和形成在第二基板的外表面上的静电放电层。

根据本发明的另一方面,提供一种制造液晶显示装置的方法,所述液晶显示装置包括彼此接合而彼此面对的第一和第二基板,所述方法包括:与有源区域的各像素对应地在第一基板上形成薄膜晶体管;在第一基板上形成第一放电线,使得所述第一放电线包围有源区;在第一基板的整个表面上形成保护层,使得所述保护层覆盖薄膜晶体管和第一放电线;穿过保护层形成暴露出所述第一放电线的一部分的多个接触孔,所述接触孔沿第一放电线彼此间隔预定的距离;在第一基板上的非有源区中在保护层上形成第二放电线,使得所述第二放电线围绕第一放电线的外部区域;以及形成从第二放电线分支且覆盖相应的接触孔的连接图案;和在第二基板的外表面上形成静电放电层。

第一放电线可由与选自构成薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极相同的材料,在与所选电极同一层中形成的。

第一放电线可连接到形成在第一基板的一侧的接地焊盘。

第二放电线可使用与在每个像素中形成的像素电极相同的材料,与像素电极形成在同一层中。

第一放电线和第二放电线之间的第一距离可大于所述第二放电线和第一基板的最外侧表面之间的第二距离。

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