[发明专利]三维多层阻变存储器在审
| 申请号： | 201310684491.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104716259A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 苏波;刘凯;张可钢;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 多层 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维多层阻变存储器，其特征在于，包括：1个制作在硅片上的选通管和至少2个堆叠在2层金属层之间的存储电阻；
每个存储电阻一端通过所述2层金属层中的底金属层连接所述选通管漏端，另一端连接所述2层金属层中的顶金属层分别作为该阻变存储器的位线；
所述选通管其栅端作为该阻变存储器的字线，其源端作为该阻变存储器的源线。
2.如权利要求1所述的三维多层阻变存储器，其特征在于：所述存储电阻个数为2～100个。
3.如权利要求1所述的三维多层阻变存储器，其特征在于：所述金属层的层数为2～10层。
4.如权利要求1所述的三维多层阻变存储器，其特征在于：所述被堆叠在不同金属层的存储电阻在竖直方向上位置完全重合。
5.如权利要求1所述的三维多层阻变存储器，其特征在于：所述金属层是铝Al、铝铜Alcu或铜Cu，所述存储电阻的阻变存储介质是钨氧化物WOx或二氧化铪HfO2。
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