[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

说明书

本发明所述的一种有机发光显示装置，有机发光二极管中的第一电极层与所述电容器中电容下电极同层以同种材料形成，薄膜晶体管中的源/漏电极层与所述电容器中的电容上点击同层以同种材料形成，电容介质层独立制备，可根据所述有机发光显示装置的需求进行电容介质层材料与厚度的优化选择，以减少电容器的面积，增大所述有机发光显示装置的开口率。本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，在未增加工艺步骤的前提下就可以实现电容器的制备，工艺简单；而且避免了离子注入工序，有效简化了制备工艺，提高了产品良率，降低了制备成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种新型有机发光显示装置及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光显示装置（英文全称Active Matrix Organic LightingEmitting Display，简称AMOLED）作为有机发光显示装置中的一种，利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化、省电、解析度高、面板寿命较长等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。

随着显示面板的大尺寸化，显示装置的功耗越来越高，研究发现增大存储电容能起到有效增大驱动阶段的电流进而降低功耗的作用；另外，增大存储电容还能有效降低引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压。因此，在不影响显示装置开口率的条件下，应尽量提高电容值。

多晶硅由于其场效应迁移率高并且适应于高速操作电路和互补金属氧化物半导体电路等特点而被广泛用作TFT的半导体层。在使用多晶硅作为TFT半导体层的AMOLED器件中，通常会在部分多晶硅层中施以参杂离子，使之电极化作为电容的下极板，以达到减少工艺流程的目的；再以栅极绝缘层和栅极层分别作为电容介质层和电容上极板，同时实现TFT制程和电容制程。

但是，上述工艺存在很多问题，例如：多晶硅层在制备过程中表面会形成大量的结晶突起，为了达到有效的栅极绝缘，再加上结晶突起的厚度，栅极绝缘层的厚度通常都无法有效降低，一般为100nm左右，因此无法通过降低介质层厚度的方式提高存储电容数值；另外，二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性，同时它与多晶硅表面接触的表面态密度又很低，所以最常用作为栅极绝缘层，但是二氧化硅的介电常数很低，作为电容介质层使用时，相应电容的数值较低。为此，为了实现存储电容数值的增加，只能通过增大电容面积的方法实现，大大降低了显示装置的开口率，影响显示装置的使用效果。

同时，该工艺需要对电容区域的多晶硅层进行掺杂，使之电极化，该过程需要离子注入和掩膜两道工序，工艺复杂，制备成本高。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有有机发光显示装置中开口率低、工艺复杂的问题，提供一种开口率高、工艺简单的有机发光显示装置及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明所述的一种有机发光显示装置，包括

基板；

薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源/漏电极层，以及隔离半导体层和栅极层、隔离栅极层和源/漏电极层的一层或多层绝缘层；

电容器，包括电容上电极、电容介质层、电容下电极；

有机发光二极管，包括第一电极层、有机发光层和第二电极层；

第一电极层与源/漏电极层中的源极或漏极电连接；

所述第一电极层与所述电容下电极同层以同种材料形成，所述源/漏电极层与所述电容上电极同层以同种材料形成。