[发明专利]利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束系统及方法无效

专利信息
申请号: 201310663229.9 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN103631037A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 宫德维;周忠祥 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 利用 二次 电光 效应 实现 入射 偏转 学分 系统 方法
【权利要求书】:

1.利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束系统,其特征在于所述系统包括第一块钽铌酸钾晶体、第二块钽铌酸钾晶体、第一二分之一玻片和第二二分之一玻片,第一块钽铌酸钾晶体和第二块钽铌酸钾晶体的[100]、[010]和[001]方向与直角坐标系的x、y、z轴相对应,z轴为整个光学系统中的光学对称轴,沿z值增大方向依次为第一二分之一玻片、第一块钽铌酸钾晶体、第二二分之一玻片和第二块钽铌酸钾晶体,第一块钽铌酸钾晶体和第二块钽铌酸钾晶体的两个相对应的平行于y-z面的表面涂有金属电极。

2.利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束方法,其特征在于进行一维光学分束时,所述方法步骤如下:

步骤一、将两块利用提拉法生长出的钽铌酸钾晶体沿[100]、[010]和[001]晶轴方向切割成长方体,之后对各个面进行抛光;

    步骤二、将两块晶体的[100]、[010]和[001]晶轴与直角坐标系的x,y,z轴相对应,z轴为整个光学系统中两块晶体的光学对称轴,沿z值增大方向依次为第一块钽铌酸钾晶体、第二块钽铌酸钾晶体;

    步骤三、分别在第一块钽铌酸钾晶体和第二块钽铌酸钾晶体的两个相对应的平行于y-z面的表面涂上金属电极并引出金属导线,使得施加在第一块钽铌酸钾晶体和第二块钽铌酸钾晶体上的外电场方向平行于x轴;

步骤四、通过控制环境温度,使得钽铌酸钾晶体的温度高于钽铌酸钾晶体从铁电相到顺电相的居里温度1-20摄氏度范围内;

    步骤五、在第一块钽铌酸钾晶体之前和两块钽铌酸钾晶体之间各插入一片二分之一玻片,z轴为其光学对称轴,沿z值增大方向依次为第一二分之一玻片、第二二分之一玻片;

步骤六、当不需要对外界激光进行分束时,两块钽铌酸钾晶体上不施加外电场,激光沿z轴正方向入射,直接透过两块钽铌酸钾晶体;当需要对外界激光进行分束时,在第一块钽铌酸钾晶体和第二块钽铌酸钾晶体上施加外电场,外界激光通过第一二分之一玻片后照射到第一块钽铌酸钾晶体上,在外电场的作用下,这时入射激光在y-z平面内被分为两束,偏振方向垂直于y-z平面的偏振成分和偏振方向平行于y-z平面的偏振成分沿y轴方向分开,当从第一块钽铌酸钾晶体出射的两束偏振光经过第二二分之一玻片照射到第二块钽铌酸钾晶体上时,被分为在y-z平面内一维分布的四束光。

3.    根据权利要求2所述的利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束方法,其特征在于所述步骤一中,所用钽铌酸钾晶体的居里温度为20摄氏度,晶体温度为22摄氏度。

4.根据权利要求2所述的利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束方法,其特征在于所述步骤三中,在钽铌酸钾晶体表面涂银胶作为电极。

5.根据权利要求2所述的利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束方法,其特征在于所述步骤六中,所用激光器为半导体激光器。

6.利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束系统,其特征在于所述系统包括第一块钽铌酸钾晶体、第二块钽铌酸钾晶体、第一二分之一玻片和第二二分之一玻片,第一块钽铌酸钾晶体的[100]、[010]和[001]晶轴与直角坐标系的x,y,z轴相对应,第二块钽铌酸钾晶体的[010]、[100]和[001]晶轴与直角坐标系的x,y,z轴相对应,z轴为整个光学系统中的光学对称轴,沿z值增大方向依次为第一二分之一玻片、第一块钽铌酸钾晶体、第二二分之一玻片和第二块钽铌酸钾晶体,第一块钽铌酸钾晶体的两个相对应的平行于y-z面的表面和第二块钽铌酸钾晶体的两个相对应的平行于x-z面的表面上涂有金属电极。

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