[发明专利]高熔点导电硬陶瓷材料钽的碳化物的制备方法有效
| 申请号： | 201310636225.1 | 申请日： | 2013-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103601188A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 崔田;吕云洲;朱品文;刘冰冰;何志 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B31/30 | 分类号： | C01B31/30 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔点 导电 陶瓷材料 碳化物 制备 方法 | ||
1.一种钽的碳化物的高温高压制备方法，所述的钽的碳化物主要组分是TaC；制备方法是：以钽粉和碳粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钽的碳化物材料；所述的混料压块，是将钽粉和碳粉按摩尔比1∶1进行混合，按合成腔体大小压成块状；所述的组装，是将块状原料装入加热容器，放入合成腔体中；所述的高温高压合成，是在高压装置上进行，在压力为2.0～6.0GPa、温度为2000～2500K下保温保压10～180分钟；所述的冷却卸压，是停止加热后自然冷却至室温后卸压。
2.根据权利要求1所述的钽的碳化物的高温高压制备方法，其特征是，所述的高温高压合成，是在压力为5.2～6.0GPa、温度为2000～2200K下保温保压60～120分钟。
3.根据权利要求1或2所述的钽的碳化物的高温高压制备方法，其特征是，所述的冷却卸压，是停止加热后先保压3～8分钟后卸压，再自然冷却至室温。
4.根据权利要求1或2所述的钽的碳化物的高温高压制备方法，其特征是，所述的组装，合成腔体内充氩气保护。
5.一种钽的碳化物的高温高压制备方法，所述的钽的碳化物主要组分是Ta2C；制备方法是：以钽粉和碳粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钽的碳化物材料；所述的混料压块，是将钽粉和碳粉按摩尔比2∶1进行混合，按合成腔体大小压成块状；所说的组装，是将块状原料装入加热容器，放入合成腔体中；所说的高温高压合成，是在高压装置上进行，在压力为5.2GPa、温度为2100K下保温保压60分钟；所述的冷却卸压，是停止加热后自然冷却至室温后卸压。
6.根据权利要求5所述的钽的碳化物的高温高压制备方法，其特征是，所述的冷却卸压，是停止加热后先保压3～8分钟后卸压，再自然冷却至室温。
7.根据权利要求5或6所述的钽的碳化物的高温高压制备方法，其特征是，所述的组装，合成腔体内充氩气保护。
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