[发明专利]晶圆缺陷检测方法

权利要求书

1.一种晶圆缺陷检测方法，包括如下步骤：

a)、检测晶圆上各芯片区的膜厚；

b)、根据所述各芯片区的膜厚分布信息将所述晶圆表面划分为多个检测区，每一所述检测区包括至少一所述芯片区；

c)、为每一所述检测区选用一确定波长的检测光束，以使在各所述检测光束投射下的、结构相同的芯片区灰度特征相近；

d)、以各所述检测光束逐次投射于与其对应的检测区中的每一所述芯片区，依据该芯片区的灰度特征检测该芯片区的缺陷。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测光束波长与对应的所述检测区的平均薄厚成正相关关系。

3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述步骤c)中，任两个所述灰度特征相近的芯片区之间的平均灰度差小于10。

4.如权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述晶圆膜厚分布范围为340-380nm，所述检测光束波长取值范围为260-370nm。

5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述晶圆表面包括4个检测区，其膜厚范围分别为340-350nm、350-360nm、360-370nm以及370—380nm，对应的检测光束波长的取值范围分别为260-285nm、295-320nm、340-360nm以及360-370nm。