[发明专利]一种增加PWM脉冲驱动能力的电路

说明书

技术领域

本发明属于PWM控制技术领域，特别涉及一种增加PWM脉冲驱动能力的电路。

背景技术

PWM(脉冲宽度调制)简单的讲是一种变频技术之一，是靠改变脉冲宽度来控制输出电压，通过改变周期来控制其输出频率，应用范围非常广，但是，目前驱动芯片中的PWM驱动信号是直接连在MOS管上的，导致在驱动信号驱动gs寄生电容较大的MOS管时，导致Vgs驱动波形边沿变缓，电源效率较低。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种增加PWM脉冲驱动能力的电路，使用PNP和NPN对管,三极管开通时的通流能力高于驱动芯片，可以驱动更大的MOS管，用于大功率状态使用。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种增加PWM脉冲驱动能力的电路，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2，PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端，PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极，PNP三极管Q3的集电极接地，NPN三极管Q2的集电极接VCC，MOS管Q1的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极，另一端通过电容C1接地，二极管D1的阴极接地。

与现有技术相比，本发明采用推挽三极管的方式，增加了PWM信号的驱动能力，提升了MOS管的开通关闭速度，提升了效率。

附图说明

图1是本发明结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例详细说明本发明的实施方式。

如图1所示，一种增加PWM脉冲驱动能力的电路，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2，PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端，PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极，PNP三极管Q3的集电极接地，NPN三极管Q2的集电极接VCC，MOS管Q1的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极，另一端通过电容C1接地，二极管D1的阴极接地。

本方案中当PWM脉冲为高时，Q2导通，电流快速通过Q2驱动Q1的栅极，MOS管导通，变压器充电过程；

当PWM脉冲为低时，Q3快速导通，Q1栅极快速通过Q3回路放电，Q1截止，此时T1的次级续流，保证Vout的稳定。

Q2/Q3的瞬时电流比原来的驱动电路大很多，可以使用大电流来冲电放电，即增加了驱动能力。