[发明专利]液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201310628272.1 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103941489B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 梁艳峰 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 以及 tft 阵列 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及制作方法和液晶显示装置。
背景技术
目前液晶显示装置技术领域内,采用横向电场方式主要有IPS(In Plane Switching,横向电场转换)液晶显示器及FFS(Fringe Field Switch,边缘电场转换)液晶显示器。在FFS液晶显示器中,包括上部电极层和下部电极层通过绝缘层相互绝缘,将下部电极层作为公共电极层,上部电极层作为像素电极层,并在上部电极层上形成例如狭缝等,以此作为电场流通的开口。通常,在彩膜基板和TFT阵列基板之间会设置支撑柱,支撑柱一般是设置在彩膜基板一侧并与TFT阵列基板一侧的薄膜晶体管TFT(thin film transistor)相抵触,另外的彩膜基板和TFT阵列基板的表面有设有摩擦层,使得液晶具有一定的取向。
目前由于液晶显示器的轻薄化要求,一般会对FFS液晶显示器进行轻薄化的工艺改进,但是FFS液晶显示器在轻薄化处理后为了改善其液晶显示器表面的凹凸点,一般对其表面需要进行抛光处理。
如图1和图2所示,由于传统的TFT阵列基板01结构中,位于TFT03顶部的是绝缘层4,由于绝缘层4与摩擦层2(图2中未示出)的附着性较差。当在进行在抛光处理过程中,如图1所示,但是由于在抛光处理过程中,位于TFT阵列基板01和彩膜基板02之间的支撑柱5会对TFT03(图1中未示出)有位移,造成支撑柱5与TFT03之间存在来回的摩擦。由于这种摩擦会使得位于TFT阵列基板01的表面摩擦层2会产生碎屑3,由于摩擦层的碎屑3会在分散到液晶显示器中的有效显示区域AA。当液晶显示器工作时,这种位于有效显示区域的碎屑,会表现为显示上的碎亮点,严重影响显示画面的质量。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种TFT阵列基板及制作方法和液晶显示装置。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种TFT阵列基板,包括:一基板;
位于所述基板上的栅极层;位于所述栅极层上的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的有源层;
位于所述有源层上的依次层叠的,且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜;
位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层;位于所述第三绝缘层上的第二导电膜;
其中,所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种液晶显示器,包括上述的TFT阵列基板、与所述TFT阵列基板的相对设置的彩膜基板,以及位于两者之间的介质层。
根据本发明的一个示范性的实施例,提供一种TFT阵列基板的制作方法,包括:
步骤S1:提供一基板,在所述基板上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层、有源层;
步骤S2:依次连续沉积形成金属层、第二绝缘层、第一导电膜层;
步骤S3:对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀,形成依次层叠的,且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜并在所述依次层叠的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜中形成暴露出所述有源层的沟槽;
步骤S4:沉积第三绝缘层,图案化所述第三绝缘层形成暴露出所述第一导电膜的开口;
步骤S5:在所述第三绝缘层上形成图案化的第二导电膜,并具有暴露出所述第一导电膜的开口。
由经上述的技术方案,与现有技术相比,本发明公开了一种TFT阵列基板及制作方法和液晶显示装置,该TFT阵列基板中由于第一导电膜(通常为氧化铟锡)是位于TFT顶部的,当在TFT阵列基板表面涂布摩擦层后,第一导电膜与摩擦层的附着性比较好。当该TFT阵列基板被组装成液晶显示器时,需要进行抛光处理。在抛光处理过程中,位于TFT阵列基板和彩膜基板之间存在来回的摩擦,不会使得表面摩擦层会产生碎屑,从而产生碎亮点现象,影响显示画面。相对于传统的TFT阵列基板结构解决了碎亮点的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中公开的抛光处理中阵列基板上的摩擦层产生碎屑的示意图;
图2为现有技术中公开的一种TFT阵列基板的示意图;
图3为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的示意图;
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