[发明专利]液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括：一基板；

位于所述基板上的栅极层；

位于所述栅极层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的有源层；

位于所述有源层上的依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜；

位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层；

位于所述第三绝缘层上的第二导电膜；

其中，所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口。

2.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述依次层叠，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层和第一导电膜中具有暴露出所述有源层的一沟槽，所述沟槽被所述第三绝缘层填充。

3.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：

位于所述栅极层包括栅极和扫描线；

位于所述源漏极层包括源极、漏极和数据线。

4.如权利要3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电膜为公共电极，所述TFT阵列基板还包括：

位于第一绝缘层与所述源漏极层之间的像素电极，所述像素电极与所述源漏极层之间电连接。

5.如权利要3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电膜为公共电极，所述TFT阵列基板还包括：

位于所述第二导电膜上的第四绝缘层；

以及，位于所述第四绝缘层之上的像素电极。

6.如权利要3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电膜为像素电极，所述像素电极与所述源漏极层之间电连接；所述TFT阵列基板还包括：

位于所述第二导电膜上的第四绝缘层；

以及，位于所述第四绝缘层之上的公共电极。

7.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电膜为透明导电材料。

8.如权利要7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡。

9.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电膜为透明导电材料。

10.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括摩擦层，覆盖所述第二导电膜，第三绝缘层和开口中的第一导电膜。

11.如权利要1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电膜悬浮设置。

12.一种液晶显示装置，包括如权利要求1-11任一所述的TFT阵列基板、与所述TFT阵列基板的相对设置的彩膜基板，以及位于两者之间的介质层。

13.如权利要12所述的液晶显示装置，其特征在于，所示液晶显示装置还包括设置于所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间的支撑柱，所述支撑住与所述开口中的第一导电膜正对设置。

14.一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层、有源层；

步骤S2：依次连续沉积形成金属层、第二绝缘层、第一导电膜层；

步骤S3：对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀，形成依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜并在所述依次层叠的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜中形成暴露出所述有源层的沟槽；

步骤S4：沉积第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成暴露出所述第一导电膜的开口；

步骤S5：在所述第三绝缘层上形成图案化的第二导电膜，并具有暴露出所述第一导电膜的开口。

15.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S3具体还包括：

通过半掩膜板法，通过对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀，形成位于所述第一绝缘层上的数据线以及形成位于所述源漏极层、第二绝缘层和第一导电膜中的暴露出所述有源层的沟槽。

16.如权利要求15所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S4具体包括：

步骤S41：在所述第一导电膜上沉积形成第三绝缘层，其中沉积温度为290-360℃，所述第三绝缘层填充所述沟槽；

步骤S42：对所述第三绝缘层进行刻蚀，暴露出所述第一导电膜。