[发明专利]降低硅凹陷的光阻去除工艺

权利要求书

1.一种降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，在对衬底表面的光阻进行去除时，采用洗净溶液对所述衬底表面的光阻进行湿法去除工艺；

其中，所述洗净溶液包括H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液，预先加热H₂SO₄溶液至其温度高于150℃，然后向光阻喷洒温度高于150℃的H₂SO₄溶液的同时，向光阻喷洒H₂O₂溶液。

2.如权利要求1所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述洗净溶液中H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液的体积比为n:1，其中，1＜n＜4。

3.如权利要求2所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述洗净溶液中H₂SO₄溶液和H₂O₂溶液的体积比为2:1。

4.如权利要求1所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述H₂SO₄溶液的浓度为95％-97％，所述H₂O₂溶液的浓度为30％-32％。

5.如权利要求1所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述光阻位于所述衬底表面不需要掺杂离子的部位，然后在对衬底表面未被光阻覆盖的区域进行离子掺杂之后，再进行湿法去除工艺去除光阻。

6.如权利要求5所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述对衬底表面未被光阻覆盖的区域进行离子掺杂，是通过离子注入技术对所述衬底表面未被光阻覆盖的区域进行离子掺杂，其中离子注入的剂量为E14-E15。

7.如权利要求1所述的降低硅凹陷的光阻去除工艺，其特征在于，所述光阻位于衬底表面需要光刻的区域，所述衬底表面光刻完成之后，再进行湿法去除工艺去除光阻。