[发明专利]一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法有效
| 申请号： | 201310612730.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103646914A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 薄膜 紫外线 处理 方法 | ||
1.一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，应用于铜互连工艺中，其特征在于，该方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上表面由下至上依次形成第一金属阻挡层、第一金属层、第一刻蚀阻挡层和低介电常数薄膜；
对所述低介电常数薄膜进行第一次紫外线处理；
在第一次紫外线处理后的低介电常数薄膜上表面形成硬掩膜；
光刻并刻蚀所述硬掩膜，所述低介电常数薄膜层和所述第一刻蚀阻挡层，形成大马士革结构；
对所述低介电常数薄膜进行第二次紫外线处理；
去除剩余的所述硬掩膜，削薄所述低介电常数薄膜；
在所述大马士革结构中通孔的侧壁和底部及所述低介电常数薄膜的上表面沉积第二金属阻挡层；
在所述第二金属阻挡层上表面和所述通孔中形成第二金属层，在所述第一金属层和第二金属层之间形成金属互连线。
2.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，所述第一次紫外线处理和第二次紫外线处理是对所述低介电常数薄膜进行紫外线照射。
3.如权利要求2所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，所述第一次紫外线处理和第二次紫外线处理的时间为20s-500s之间，处理温度为300度-480度之间。
4.如权利要求2所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，在所述第一次紫外线处理和第二次紫外线处理时，所述低介电常数薄膜在进入紫外线设备工艺腔进行处理的步骤包含预加热、气体引入、紫外线处理、剩余气体净化。
5.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层采用钨、铜或者铝。
6.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，生长所述低介电常数薄膜采用等离子体化学气相沉积或者旋涂-凝胶法。
7.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，通过物理气相沉积形成所述第一金属阻挡层和第二金属阻挡层和所述硬掩膜。
8.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，通过等离子体化学气相沉积形成所述第一刻蚀阻挡层。
9.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，通过旋涂光刻胶进行光刻并刻蚀形成所述大马士革结构。
10.如权利要求1所述一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层的材料为金属钽及氮化钽，通过物理气象沉积的方法在所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层的表面形成铜的籽晶层，电镀所述籽晶层，形成所述第一金属层和所述第二金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310612730.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型的复合绝缘子胶料转运车
- 下一篇：晶圆片定位及测厚装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
