[发明专利]一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法

权利要求书

1.一种铌酸锂光调制器，其特征在于，包括波导芯片以及在所述波导芯片上端涂覆的保护材料和与外部光纤连接的波导线；

所述波导芯片包括铌酸锂基底，以及依次设置于所述铌酸锂基底上的非晶硅层、二氧化硅层和金属电极；其中，所述非晶硅层的厚度小于所述铌酸锂基底的厚度，所述非晶硅层厚度为70nm-200nm，所述铌酸锂基底和所述非晶硅层共同构成波导；所述二氧化硅层上成型有电极填充区域，所述金属电极设置于所述电极填充区域内；

所述波导线设置于所述铌酸锂基底和所述非晶硅层之间。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂光调制器，其特征在于，所述非晶硅层厚度为70nm-150nm。

3.根据权利要求1或2所述的铌酸锂光调制器，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为1um-2um。

4.根据权利要求1或2所述的铌酸锂光调制器，其特征在于，所述非晶硅层为氢化非晶硅层。

5.一种铌酸锂光调制器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

S1：在铌酸锂基底表面沉积一层非晶硅材料，形成非晶硅层，所述非晶硅层的厚度小于所述铌酸锂基底的厚度，所述非晶硅层的厚度为70nm-200nm；

S2：在所述非晶硅层进行光刻显影及刻蚀剥胶，形成波导；

S3：在所述波导上沉积一层二氧化硅，形成二氧化硅层；

S4：在所述二氧化硅层上刻蚀得到电极填充区域；

S5：在所述电极填充区域内填充金属，形成金属电极。

6.根据权利要求5所述的铌酸锂光调制器的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

S41：在所述二氧化硅层上依次设置剥离胶层和光阻剂层；在所述光阻剂层上描绘出电极填充区域的形状；

S42：根据所述电极填充区域形状进行干法刻蚀以形成电极填充区域；

所述步骤S5还包括：

剥离掉光阻剂层并去除所述电极填充区域之外的金属，得到波导芯片。

7.根据权利要求5或6所述的铌酸锂光调制器的制备方法，其特征在于，所述非晶硅层厚度为70nm-150nm。

8.根据权利要求5或6所述的铌酸锂光调制器的制备方法，其特征在于，所述非晶硅为氢化非晶硅。

9.一种权利要求1-4任一所述的铌酸锂光调制器的封装方法，其特征在于，包括如下步骤:

在所述波导芯片上涂覆保护材料；

在所述金属电极上的保护材料外表面上设置保护结构；

在所述波导线上包裹绝缘材料。

10.根据权利要求9所述的铌酸锂光调制器封装方法，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅。