[发明专利]一种碳化硅立柱抗氧化保护层

说明书

技术领域

本发明涉及一种碳化硅立柱，具体涉及一种涂抹于碳化硅立柱表层的碳化硅立柱抗氧化保护层。

背景技术

目前窑车上的碳化硅质立柱作为产品吊装和烧成过程中的主要支撑体，在室温至1600℃的烧成过程中，因氧化作用和水蒸气、碱金属挥发气体腐蚀等原因，从碳化硅内部大量析出二氧化硅，在加之水蒸气和碱金属的腐蚀作用，大大破坏了碳化硅立柱的内部结构，降低了使用强度和使用寿命。

发明内容

本发明要解决的技术问题是目前常用的碳化硅质立柱易腐蚀，使用强度低，使用寿命短，提供一种降低腐蚀，延长碳化硅立柱使用寿命和使用强度的碳化硅立柱抗氧化保护层。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：一种碳化硅立柱抗氧化保护层，它是由以下重量份的原料制成的：瓷土1-5份、煅烧氧化铝粉30-40份、莫来石50-60份、硅微粉10-15份。

它是由以下重量份的原料制成的：瓷土2-4份、煅烧氧化铝粉32-38份、莫来石52-58份、硅微粉12-14份。

它是由以下重量份的原料制成的：瓷土3份、煅烧氧化铝粉35份、莫来石55份、硅微粉15份。

碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，它包括以下步骤：1、将上述原料按相应的重量份称取混合后经900-1200℃煅烧；2、将煅烧后的原料细磨至10-20μm制备成碳化硅立柱抗氧化保护材料；3、将步骤2制得的碳化硅立柱抗氧化保护材料用质量浓度为1.2-1.5g/l的磷酸二氢铝稀释液混合；4、将步骤3所制得的混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保护层。所述的磷酸二氢铝稀释液的用量为上述原料总重量的0.8-2倍。

采用上述技术方案的本发明能很好的隔绝碳化硅表面与外界的接触，降低氧化作用减少水蒸气、碱金属等不良气体的腐蚀效果，延长碳化硅立柱的使用寿命达50%，同时此保护层的热膨胀系数基本与碳化硅材料相同，能有效避免因膨胀系数不同造成的保护层脱落。

具体实施方式

一种碳化硅立柱抗氧化保护层，它是由以下重量份的原料制成的：瓷土1-5份、煅烧氧化铝粉30-40份、莫来石50-60份、硅微粉10-15份。

它是由以下重量份的原料制成的：瓷土2-4份、煅烧氧化铝粉32-38份、莫来石52-58份、硅微粉12-14份。

它是由以下重量份的原料制成的：瓷土3份、煅烧氧化铝粉35份、莫来石55份、硅微粉15份。

碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，它包括以下步骤：1、将上述原料按相应的重量份称取混合后经900-1200℃煅烧，也可以在1000℃、1100℃下煅烧；2、将煅烧后的原料细磨至10-20μm制备成碳化硅立柱抗氧化保护材料；3、将步骤2制得的碳化硅立柱抗氧化保护材料用质量浓度为1.2-1.5g/l的磷酸二氢铝稀释液混合；4、将步骤3所制得的混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保护层。所述的磷酸二氢铝稀释液的用量为上述原料总重量的0.8-2倍。混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面的厚度为0.3-0.5mm，能很好的隔绝碳化硅表面与外界的接触，降低氧化作用减少水蒸气、碱金属等不良气体的腐蚀效果，延长碳化硅立柱的使用寿命达50%，同时此保护层的热膨胀系数基本与碳化硅材料相同，能有效避免因膨胀系数不同造成的保护层脱落。

本发明原料的具体实施例如下：

实施例1：瓷土3kg、煅烧氧化铝粉35 kg、莫来石55 kg、硅微粉15 kg。

碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，它包括以下步骤：1、将上述原料按相应的重量份称取混合后经900℃煅烧；2、将煅烧后的原料细磨至10μm制备成碳化硅立柱抗氧化保护材料；3、将步骤2制得的碳化硅立柱抗氧化保护材料用质量浓度为1.2g/l的磷酸二氢铝稀释液混合；4、将步骤3所制得的混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保护层。磷酸二氢铝稀释液的用量为上述原料总重量的0.8倍。

实施例2：瓷土1kg、煅烧氧化铝粉40 kg、莫来石50 kg、硅微粉15 kg。

碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，它包括以下步骤：1、将上述原料按相应的重量份称取混合后经1000℃煅烧；2、将煅烧后的原料细磨至15μm制备成碳化硅立柱抗氧化保护材料；3、将步骤2制得的碳化硅立柱抗氧化保护材料用质量浓度为1.3g/l的磷酸二氢铝稀释液混合；4、将步骤3所制得的混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保护层。磷酸二氢铝稀释液的用量为上述原料总重量的1倍。