[发明专利]一种碳化硅立柱抗氧化保护层有效
| 申请号： | 201310605737.1 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104671827B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 夏东;万柯;陈虎 | 申请（专利权）人： | 济源赛孚工业陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司41109 | 代理人： | 霍彦伟 |
| 地址： | 454650 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 立柱 氧化 保护层 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅立柱抗氧化保护层，其特征在于：它是由以下重量份的原料制成的：瓷土1-5份、煅烧氧化铝粉30-40份、莫来石50-60份、硅微粉10-15份。
2.根据权利要求1所述的碳化硅立柱抗氧化保护层，其特征在于：它是由以下重量份的原料制成的：瓷土2-4份、煅烧氧化铝粉32-38份、莫来石52-58份、硅微粉12-14份。
3.根据权利要求2所述的碳化硅立柱抗氧化保护层，其特征在于：它是由以下重量份的原料制成的：瓷土3份、煅烧氧化铝粉35份、莫来石55份、硅微粉15份。
4.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：1、将上述原料按相应的重量份称取混合后经900-1200℃煅烧；2、将煅烧后的原料细磨至10-20μm制备成碳化硅立柱抗氧化保护材料；3、将步骤2制得的碳化硅立柱抗氧化保护材料用质量浓度为1.2-1.5g/l的磷酸二氢铝稀释液混合；4、将步骤3所制得的混合物均匀刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保护层。
5.根据权利要求4所述的碳化硅立柱抗氧化保护层的制备方法，其特征在于：所述的磷酸二氢铝稀释液的用量为上述原料总重量的0.8-2倍。
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