[发明专利]片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种片上解耦电容器，其包括：

耦合到第一电极的一个或多个碳纳米管；

形成在所述一个或多个碳纳米管上的介电肤层；以及

形成在所述介电肤层上的金属涂层，其中所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与所述金属涂层电隔离。

2.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中，所述一个或多个碳纳米管被电耦合到所述电容器的所述第一电极，以及所述金属涂层被电耦合到所述电容器的第二电极。

3.根据权利要求2所述的片上解耦电容器，其中，所述第一电极被配置为形成至少一个沟槽，以及所述第二电极形成至少一个叉头，所述至少一个叉头被配置为延伸到所述第一电极的所述至少一个沟槽中。

4.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中，所述电容器的电容与所述介电肤层的表面积直接成正比。

5.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中，所述电容器的电容与所述碳纳米管的数量直接成正比。

6.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中所述碳纳米管是富金属碳纳米管。

7.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中，所述一个或多个碳纳米管被配置为在所述第一电极上形成网孔状结构，以及所述金属涂层被配置为填充所述网孔状结构中的所述一个或多个碳纳米管之间的间隙。

8.根据权利要求1所述的片上解耦电容器，其中所述介电肤层的厚度在约5纳米到10纳米之间。

9.一种集成芯片，其包括：

第一电极；

第二电极；以及

在所述第一电极和第二电极之间的隔离层，其中所述隔离层被配置为包括一个或多个碳纳米管，在所述一个或多个碳纳米管的表面上具有介电肤层。

10.根据权利要求9所述的集成芯片，还包括形成在所述介电肤层上的金属涂层，其中所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与所述金属涂层电绝缘。

11.根据权利要求10所述的集成芯片，其中，所述碳纳米管被配置为电耦合到所述第一电极，以及所述金属涂层被配置为电耦合到所述第二电极。

12.根据权利要求10所述的集成芯片，其中，所述一个或多个碳纳米管被配置为在第一电极上形成网状结构，以及所述金属涂层被配置为填充所述网孔状结构中的所述一个或多个碳纳米管之间的间隙。

13.根据权利要求9的集成芯片，其中，所述一个或多个碳纳米管和所述金属涂层之间的电容与所述介电肤层的表面积直接成正比。

14.根据权利要求9的集成芯片，其中，所述第一电极被配置为形成至少一个沟槽，以及所述第二电极被配置为形成至少一个叉头，所述至少一个叉头延伸到所述第一电极的所述至少一个沟槽中。

15.根据权利要求9的集成芯片，其中，所述碳纳米管是富金属碳纳米管。

16.一种片上解耦电容器，其包括：

第一电极，其被配置成形成多个沟槽；

第二电极，其被配置成形成多个叉头，其中所述第二电极的选择的叉头被配置为延伸到所述第一电极的选择的沟槽中；

第一电极和第二电极之间的隔离层，其中所述隔离层包括：

电耦合到所述第一电极的碳纳米管的网孔；

所述碳纳米管的所述网孔上形成的介电肤层；

在所述介电肤层上形成的金属涂层。

17.根据权利要求16的片上解耦电容器，其中，所述碳纳米管的所述网孔被配置为电耦合到所述第一电极，以及所述金属涂层被配置为电耦合到所述第二电极。

18.根据权利要求16的片上解耦电容器，其中，所述电容器的电容与所述介电肤层的表面积直接成正比。

19.根据权利要求16的片上解耦电容器，其中所述碳纳米管的所述网孔包括富金属碳纳米管。

20.根据权利要求16的片上解耦电容器，其中，底电极被配置为在多个位置处耦合到铜布线。