[发明专利]一种接触式IC卡的快速无损全开封方法在审
申请号: | 201310594086.0 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN104658881A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 赖华平;潘永吉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G01N1/28 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 ic 快速 无损 开封 方法 | ||
1.一种接触式IC卡的快速无损全开封方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,去除接触式IC卡的电极铜片,暴露芯片位置;
步骤二,加热硝酸,至沸腾;
步骤三,将接触式IC卡投入沸腾硝酸进行化学反应;
步骤四,取出接触式IC卡立刻清洗。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一中的去除接触式IC卡的电极铜片方法是沿铜片间的分界线,利用机械应力,用尖锐工具撬起并拔去中央位置的铜片,暴露出芯片所在位置,包裹住芯片的封装树脂也会部分暴露。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤二中所述硝酸为浓度大于98%的发烟硝酸,加热温度要大于300摄氏度,在3分钟内沸腾。
4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征在于:步骤二具体为:将硝酸放入烧杯,液面高度在1-2厘米之间,加热使硝酸在3分钟内沸腾。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤三中所述接触式IC卡在硝酸中的停留时间在10-20秒之间。
6.根据权利要求1或5所述的方法,其特征在于:步骤三中,所述化学反应具体为:接触式IC卡的封装树脂以有机物成分为主,被强氧化性的硝酸以极快速度腐蚀;接触式IC卡的金属材料也与硝酸发生不同程度的氧化还原反应。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤三完成后,接触式IC卡中从正面包裹芯片的封装树脂被快速刻蚀掉,芯片周围,除封装引线之外无其他直接包裹的材料,芯片为悬空。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤四应在步骤三完成后,立刻取出接触式IC卡用去离子水清洗1分钟以上,样品吹干,开封完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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