[发明专利]用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置无效
申请号: | 201310567234.X | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103834933A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 秦文锋;李学军;杨文志 | 申请(专利权)人: | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吴剑锋 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光器 制备 _sio 激光 化学 相反 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置。
背景技术
现有的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置其结构相对比较复杂,生产成本高。故有必要提供一种结构简单,投入成本低的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置,以满足需求。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,生产成本低,用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置,其特征在于:包括有反应炉,在所述的反应炉内设有石英管,在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口,在所述石英管设有窗口一端上设有第一进气口和第二进气口,在所述石英管另一端上设有真空泵连接管,在所述石英管内设有基片架。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装 置,其特征在于所述基片架平衡与所述石英管轴向方向设置,所述基片架与石英管内壁的最短距离为5-10mm。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置,其特征在于在所述反应炉上设有加热机构。
如上所述的用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置,其特征在于所述的加热机构为缠绕在反应炉外壁上的加热丝。
综上所述,本发明相对于现有技术其有益效果是:
本发明产品结构简单,生产成本相对较低。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步描述:
本发明一种用激光器制备α_SiO膜的激光光致化学气相反应装置,包括有反应炉,在所述的反应炉内设有石英管,在所述石英管一端上设有能让激光束透过的窗口,在所述石英管设有窗口的一端上设有第一进气口和第二进气口,在所述石英管另一端上设有真空泵连接管,在所述石英管内设有基片架。
本发明中所述基片架平衡与所述石英管轴向方向设置,所述基片架与石英管内壁的最短距离为5-10mm。其中在所述反应炉上设有加热机构。所述的加热机构可为缠绕在反应炉外壁上的加热丝。所述的加热机构还可以为其它加热方式。
本装置使用ArF激光器在低压下、热壁反应炉中,将NH3和硅烷光致分解得到SiN。
激光束沿石英管水平方向射入并通过位于基片上方5-10mm处。 石英管连续抽真空并用He连续净化以防止汞油倒流,当激光进入石英管中沉积便开始进行。NH3和硅烷比为5:1,总气压为33Pa,沉积温度为225~625℃。通过改变NH3/SiH4比、沉积温度或气体,可以SiN的组分。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的