[发明专利]电阻型随机存取存储器的均衡及感测

说明书

本发明具体涉及电阻型随机存取存储器的均衡及感测，提供了一种可以结合存储器操作来减轻潜通路电流的两端存储器架构。通过举例，可以应用电压模拟机制来将所述存储器架构的未被选定的位线动态地驱动至由选定的位线所观测得到的电压。根据这些方面，还可以将所述被选定的位线所观测到的变化施加给所述未被选定的位线。这样可以有助于减少或避免在所述被选定位线与所述未被选定的位线之间的电压差，从而减少或避免在所述存储器架构的各个位线之间的潜通路电流。此外，根据本发明的其他方面，提供基于输入/输出的配置来促进潜通路电流的减少。

技术领域

本发明一般地说涉及半导体电子器件，更具体地说，涉及结合存储器感测进行的电阻型随机存取存储器的信号均衡。

背景技术

电阻型随机存取存储器(RRAM)是最近在集成电路技术领域的一个创新点。虽然仍有大量的RRAM技术处于研发阶段，但是关于RRAM的各种技术概念已经得以阐明，并且已处于一个或多个验证阶段，来验证相关理论是否正确。即便如此，对于半导体电子行业的未来发展来说，RRAM技术仍展现出实质上的优势。

根据各种理论模型，RRAM可以被配置成具有多个电阻状态：例如，RRAM可以被配置成具有相对低的电阻或相对高的电阻。此外，RRAM可以被大体配置成响应于施加在该RRAM上的外部条件而进入到一个或另一个电阻状态中。因而，以晶体管来说，施加或移除外部条件可以对RRAM进行编程和解编程(de-program)。另外，取决于物理构造和电气布置，RRAM可以大体维持一个被编程或解编程状态。取决于RRAM的构造，维持一个状态可能需要满足其他条件(例如，最小操作电压的存在，最低操作温度的存在，等)，或者是不需要满足任何条件。总的来说，能够处于两个状态中的一个状态并且维持在该状态中的一个状态或另一个状态的能力可以用以表示一个二进制位信息。因而，RRAM理论上可以用作经适当布置的电子电路中的电子存储器。

对于RRAM技术的实际应用的若干意见包括各种基于晶体管的存储器应用。例如，RRAM元件经常被至少部分地理论化为在数字信息的电子储存中常用的金属氧化物半导体(MOS)型存储器晶体管的可行替代方案。基于RRAM的存储器件的模型提供了可能优于非易失型FLASH MOS型晶体管的一些潜在优势，包括更小的裸片大小、更高的存储器密度、更快的切换(例如，从相对的导电状态到相对的不导电状态，或者与之相反)、良好的数据可靠性、低的制造成本以及其他。由于这些潜在的优势，并且由于对于更快速更小型的电子器件的需求仍方兴未艾，人们对于RRAM技术以及RRAM研发仍然存在浓厚的兴趣。

发明内容

以下提供本发明的概要介绍，以提供本文所描述的一些方面的基本理解。该发明内容并不是对于所公开主旨的全面概览，既不是为了识别所公开主旨的核心或关键元素，也不是要描述本发明的范围。其唯一的目的是以简化形式呈现所公开主旨的一些概念，来作为对于后面将要给出的详细描述的前序。

本发明的方面提供一种电阻型随机存取存储器(RRAM)架构，其能够结合电子存储器应用来减轻潜通路电流(sneak path current)(也被称作漏电流)。此类应用可包括但不限于，编程(或写入)应用、读取应用或擦除应用。具体方面揭示的是使用电压模拟机制来将该电子存储器的未被选定的位线动态地驱动至由被选定的位线所观测到的电压。根据这些方面，还可以将由被选定的位线所观测到的随时间发生的变化施加给未被选定的位线。这样可以有助于减少或避免在被选定的位线与未被选定的位线之间的电压差，进而减少或避免在RRAM架构的相应位线之间的潜通路电流。