[发明专利]电阻型随机存取存储器的均衡及感测

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

一组两端存储器件；

一组位线互连，该组位线互连中的各个位线互连连接至所述一组两端存储器件的各个子集的各个第一端，并且配置为通过施加偏置电压使所述一组两端存储器件的子集中的各个子集激活或去激活；以及

偏置电压复制电路，其配置为，动态地跟踪所述一组位线互连中的选定的位线互连处的观测电压，该电压是在所述一组位线中的选定位线上施加所述偏置电压而产生的，并将动态追踪到的所述观测电压施加在所述一组位线互连中的未被选定的位线互连上。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述偏置电压复制电路配置为在所述一组位线中的所述选定位线和所述未被选定的位线之间维持小于约0.05伏特的电压差。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述一组两端存储器件包括电阻型随机存取存储器、相变随机存取存储器、磁阻型随机存取存储器、或铁电型随机存取存储器。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中，所述偏置电压复制电路配置为，在维持小于约0.05伏特的电压差的过程中，在所述一组位线中的所述选定位线处减轻位线间电流的效应。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述一组位线互连包括所述半导体存储器的块中的位线；以及

所述偏置电压复制电路将动态跟踪到的所述观测电压施加在所述半导体存储器块的位线中的未被选定用于存储器操作的未被选定子集上。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述偏置电压复制电路包括运算放大器，该运算放大器将动态跟踪到的所述观测电压输出到所述一组位线中的所述未被选定的位线上。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中，所述观测电压为所述运算放大器的输入。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中，跟踪到的所述观测电压由所述运算放大器输出，并作为第二输入反馈到所述运算放大器，所述输入和所述第二输入配置为，将所述动态跟踪的观测电压输出驱动到动态跟踪到的所述观测电压上。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述一组两端存储器件和所述一组位线互连部分地形成存储器块，该存储器块为所述半导体存储器的一组存储器块中的一个。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器，进一步包括一组输入/输出信号连接端。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器，其中，所述输入/输出信号连接端中的第一输入/输出信号连接端电耦接到与所述一组存储器块中的一个存储器块相关联的所述一组位线互连上。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器，进一步包括感测放大器，该感测放大器配置为：

将所述偏置电压施加到所述一组位线互连中的所述选定位线互连上，以激活所述一组位线互连中的所述选定位线互连，用于进行读取操作；以及

测量与所述一组位线互连中的所述选定位线互连相关联的输入/输出连接端的电气特性，以确定所述一组两端存储器件中的与所述一组位线互连中的所述选定位线互连相连接的被激活的两端存储器件的状态。