[发明专利]晶片剥离装置及晶片剥离方法有效
申请号: | 201310549737.4 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103811381B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 吉野道朗;中村浩二郎;古重彻 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 剥离 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将利用粘接剂粘接于切片基底的晶片进行剥离的晶片剥离装置及晶片剥离方法。
背景技术
硅晶片等晶片通过将被称为晶锭的块状物切片并薄片化而获得。为了获得晶片,首先将晶锭经由粘接剂而固定在被称为切片基底的保持体上。利用线锯将固定在切片基底上的晶锭切片而形成为晶片。然后,通过从切片基底将晶片剥离来获得晶片。
如图1A所示,为了从切片基底50将晶片60剥离,使粘接有晶片60的切片基底50浸渍于水15中,从而使将晶片60固定于切片基底50的粘接剂63软化。由此,晶片60从切片基底50剥离。剥离了的晶片60向托盘40下落并被回收在该托盘40中。
另外,作为从切片基底将晶片剥离的其他方法,报告有对使晶片与切片基底粘接的粘接剂喷射热风而将晶片从切片基底剥离的方法(专利文献1)。
【在先技术文献】
【专利文献1】:日本实用新型注册第3149712号
【发明所要解决的课题】
如图1B所示,当从切片基底50剥离了的晶片60向托盘40下落时,下落的晶片60彼此冲撞、或无规则地相互重叠,往往会使晶片60破裂(参考符号X)、或欠缺(参考符号Y)。另外,粘接剂的残渣63’混入水中。因此,如图1C所示,需要利用清洗液15’对收容于托盘40中的晶片60进行清洗。进而,由于下落的晶片60无规则地收容在托盘40内,故如图1D所示那样,需要排列晶片60的工序。这样,需要利用人工操作除去破裂了的晶片及晶片的碎片、粘接剂残渣,或需要排列无规则收容的晶片。
另外,如专利文献1所记载那样,当对粘接剂喷射热风而使粘接剂溶解时,会在晶片上粘着污垢且难以将该污垢除去。
发明内容
因此,本发明的目的在于,使晶片从切片基底的剥离容易,且能够在之后的工序之前排除人工操作而实现自动化。
【用于解决课题的方式】
即,本发明涉及以下所示的晶片剥离装置及晶片剥离方法。
本发明的晶片剥离装置为将利用粘接剂粘接于切片基底的多张晶片从所述切片基底剥离的晶片剥离装置,其中,具有:
水槽,其对水进行储存;保持部,其将粘接有所述晶片的所述切片基底保持为使所述晶片的至少一部分浸渍于所述水槽的水中;第一喷嘴,其向浸渍于所述水槽的水中的晶片的侧面喷射水;托盘,其配置在所述水槽内,并收容从所述切片基底剥离了的晶片。
本发明的晶片剥离方法为将利用粘接剂粘接于切片基底的多张晶片从所述切片基底剥离的晶片剥离方法,其中,包括:
准备利用粘接剂粘接有多张晶片的切片基底的工序;使所述切片基底的所述晶片的至少一部分浸渍于储存在水槽的水中的工序;向浸渍于所述水槽的水中的晶片的侧面喷射水的工序;将从所述切片基底剥离了的晶片向配置在所述水槽内的托盘收容的工序。
发明效果
通过采用本发明的晶片剥离装置,能够从切片基底容易地剥离晶片,且能够将剥离了的晶片排列在托盘中。因此,一直到剥离后的工序之前不会经由人工操作,从而能够实现自动化。
附图说明
图1是表示现有的晶片剥离装置的概要的图。
图2是表示获得粘接有多张晶片的切片基底的工序的图。
图3A是表示实施方式1的晶片剥离装置的概要的图,图3B是表示实施方式2的晶片剥离装置的概要的图。
图4是表示切片基底、第一喷嘴、第一辅助喷嘴、托盘、第二喷嘴及蒸汽喷嘴的位置关系的示意图。
图5A是托盘的立体图,图5B是托盘的分解图。
图6是表示实施方式1的晶片剥离方法的流程的图。
图7是表示实施方式2的晶片剥离方法的流程的图。
图8是表示将收容在托盘中的晶片一张一张地取出的状况的图。
具体实施方式
1.关于晶片制造方法
本发明的晶片剥离方法可以为晶片制造方法的一工序。晶片制造方法的典型性的流程示于图2。
通过将被称为晶锭65的半导体块状物利用粘接剂63贴附在切片基底上(参考图2A),对利用粘接剂63贴附了的晶锭进行切片而形成多张晶片(图2B),并在保持将切片了的晶片贴附于切片基底的状态下进行清洗(图2C),由此能够获得粘接有多张晶片60的切片基底50。
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