[发明专利]摄像器件及其驱动方法和摄像装置在审
申请号: | 201310548165.8 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103855174A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 山下和芳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 器件 及其 驱动 方法 装置 | ||
1.一种摄像器件,其包括:
半导体基板,其包括:光电转换元件和电荷-电压转换元件;
电容量开关;以及
电荷积累元件,其邻近于所述光电转换元件,
其中,所述电荷积累元件的至少一部分与所述光电转换元件的电荷积累区域重叠,且
其中,所述电荷积累元件通过所述电容量开关选择性连接到所述电荷-电压转换元件。
2.根据权利要求1所述的摄像器件,其中,当所述电容量开关开通时,所述电荷积累元件的电容量被添加至所述电荷-电压转换元件的电容量。
3.根据权利要求1所述的摄像器件,其中,所述光电转换元件设置在所述电荷积累元件和所述半导体基板的光接收表面之间。
4.根据权利要求1所述的摄像器件,其还包括:
布线层,
其中,所述摄像器件为背部照明型摄像器件,在所述背部照明型摄像器件中,所述光电转换元件设置在所述半导体基板的光接收表面与所述布线层之间。
5.根据权利要求4所述的摄像器件,其中,所述电荷积累元件是所述布线层的一部分。
6.根据权利要求1所述的摄像器件,其还包括:
光屏蔽层。
7.根据权利要求6所述的摄像器件,其中,所述电荷积累元件形成为所述光屏蔽层的一部分。
8.根据权利要求6所述的摄像器件,其中,所述电荷积累元件形成在所述光屏蔽层与所述光电转换元件之间。
9.根据权利要求1所述的摄像器件,
其中,预定像素和邻近于所述预定像素的另一像素共用一个所述电荷-电压转换元件和一个所述电容量开关,且
设置在所述预定像素中的所述电荷积累元件和设置在所述另一像素中的所述电荷累积元件通过所共用的电容量开关选择性地连接到所共用的电荷-电压转换元件。
10.根据权利要求1所述的摄像器件,
其中,所述电荷积累元件包括第一电极和第二电极,且
其中,所述第一电极连接到所述电容量开关。
11.根据权利要求10所述的摄像器件,其中,所述第二电极比所述第一电极更靠近所述光电转换元件,且所述第二电极由金属形成。
12.根据权利要求10所述的摄像器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括布置成栉齿形状的多个子电极。
13.根据权利要求10所述的摄像器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的一个电极由金属和多晶硅中的一者形成,且所述第一电极和所述第二电极中的其它电极由金属和多晶硅中的一者形成。
14.根据权利要求1所述的摄像器件,
其中,所述电荷-电压转换元件是浮置扩散区域,且
其中,所述电荷积累元件是电容器。
15.根据权利要求1所述的摄像器件,
其中,所述摄像器件是前部照明型摄像器件,
其中,所述电荷-电压转换元件被包含在像面相位差像素中,且
其中,所述电荷积累元件作为所述光电转换元件的光屏蔽层进行操作。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的摄像器件,其还包括负偏压施加部,所述负偏压施加部用于经由所述电荷积累元件向所述光电转换元件施加负偏压。
17.一种摄像装置,其包括光学部、用于从所述光学部接收光的固态摄像器件以及从所述固态摄像器件接收信号的数字图像处理器,所述固态摄像器件是前述权利要求1-16中任一项所述的摄像器件。
18.一种驱动摄像器件的方法,其包括:
设置固态摄像器件,所述固态摄像器件包括光电转换元件、电荷-电压转换元件以及相邻于所述光电转换元件的电荷积累元件,其中,所述电荷积累元件的至少一部分与所述光电转换元件的电荷积累区域重叠,且其中,所述电荷积累元件的电容量能够被添加至所述电荷-电压转换元件的电容量;
检测照明条件;
响应于确定出所述照明条件为低,使所述电荷电压转换元件与所述电荷积累元件未电连接;且
响应于确定出所述照明条件为高,使所述电荷-电压转换元件与所述电荷积累元件电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的