[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201310546047.3 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103811500B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 田宇植;具永谟;李敏宇;李在九 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于未茗;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 有机 发光二极管 显示器 | ||
公开薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器。根据一示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括:基板;置于基板上的薄膜晶体管;连接到薄膜晶体管的第一电极;以及置于基板和薄膜晶体管之间的衍射层。衍射层置于薄膜晶体管的半导体的边界线内。
技术领域
本发明总地来说涉及薄膜晶体管阵列面板和有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器是包括用于发射光以显示图像的有机发光二极管的自发光显示设备。与液晶显示器不同,有机发光二极管显示器不需要单独的光源,所以其厚度和重量可以相对减少。此外,由于有机发光二极管显示器显示出诸如低功耗、高亮度、高响应速度的高级别特性,从而作为便携式电子设备的下一代显示器而引起了人们的关注。
有机发光二极管显示器根据驱动方法被分为无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵型有机发光二极管显示器对于每个像素包括有机发光二极管、薄膜晶体管(TFT)和电容器,以独立地控制像素。
有机发光二极管显示器有一特点在于光效率低于诸如CRT、PDP和PED之类的其它显示设备的光效率。
这将导致一问题,即从有机发光二极管显示器发出的光从电极和基板之间的界面以及基板和空气之间的界面被完全反射,使得光提取率下降,并且从有机发光二极管显示器发出的光被限制在电极、有机层和基板之间,这样光不被发射到外部,并且消散。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解,因此它可能包含不构成对于本领域普通技术人员来说在这个国家已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
本发明已经被提出致力于提供具有改善光效率的优点的有机发光二极管显示器。示例性实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;置于基板上的薄膜晶体管;连接到薄膜晶体管的第一电极;以及置于基板和薄膜晶体管之间的衍射层。衍射层置于薄膜晶体管的半导体的边界线内。
薄膜晶体管可包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,并且第一电极可连接至第一薄膜晶体管。薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括:形成在基板上并被连接到第二薄膜晶体管的栅电极的栅极线;与栅极线交叉并被连接到第二薄膜晶体管的源电极的数据线。衍射层与栅极线和数据线中至少之一重叠。
衍射层可以包括由反射材料形成的多个线状图案,线状图案以预定间隔被布置。
线状图案之间的间隔可以为50nm至5μm。
反射材料可以是具有至少为50%的反射率的材料,反射材料可以包括Al、Ag、Cu、Pd、Au、Ti、Mo和它们的氧化物中的至少一种。
另一个示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器,包括:基板;置于基板上的多个像素。多个像素的每一个包括:置于基板上的衍射层;置于衍射层上的薄膜晶体管;连接到薄膜晶体管的第一电极;置于第一电极上的有机发光层;以及置于有机发光层上的第二电极。衍射层置于薄膜晶体管的半导体的边界线内。
薄膜晶体管可以包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一电极可以被连接到第一薄膜晶体管的漏电极。
有机发光二极管显示器可以进一步包括:形成在基板上的栅极线,和栅极线交叉并彼此分开的数据线和驱动电压线。第二薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极可以被分别连接到栅极线、数据线和第一薄膜晶体管的栅电极,第一薄膜晶体管的源电极可以被连接到驱动电压线。
在衍射层中,多个线状图案可以以预定间隔被布置。
像素可以包括红像素、绿像素和蓝像素,红像素、绿像素和蓝像素可以具有不同的线状图案之间的间隔。
线状图案之间的间隔可以以蓝像素<绿像素<红像素的规则被形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的