[发明专利]发光元件及其发光阵列

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其发光阵列，特别是涉及一种发光结构底部具有接触部的发光元件及其发光阵列。

背景技术

发光二极管元件电流扩散的效果关系着发光二极管元件的亮度。现有技术中，一发光二极管元件的半导体层顶层上可具有一电极垫以将电流输入发光二极管元件，且也可于半导体层的顶层形成一或多个延伸于电极垫的延伸电极以促进电流分散。

然而，延伸电极的设置对于发光二极管元件的出光也有负面影响，因延伸电极为金属会吸收或阻挡发光二极管元件的光线。甚或，如果延伸电极与半导体层顶层间的接触面积不足，发光二极管元件的顺向电压可能会上升而降低电性效率。

此外，发光二极管元件可更进一步地连接于其他元件以形成一发光装置。发光二极管元件可通过具有基板的一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光二极管间，以形成一发光装置。此外，次载体可还包含一电路，通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光二极管的电极。

发明内容

为解决上述问题，本发明公开一种发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。

附图说明

图1A是本发明发光元件根据一第一实施例的上视图，而图1B及图1C是图1A的两不同剖面视图；

图2A及图2B是本发明发光元件的一第二实施例；

图3A及图3B是本发明发光阵列的一第三实施例；

图4是本发明灯泡的一第四实施例。

具体实施方式

参照图1A至图1C。图1A显示本发明发光元件根据一第一实施例的上视图，而图1B及图1C分别根据剖面线AA’及BB’显示图1A的两不同剖面视图。一发光元件100包含：一基板102；一发光结构112形成于基板102上；以及一绝缘接合层104将发光结构112接着至基板102。多个半导体接触部114欧姆接触于发光结构112的底部，且多个反射部115形成于多个半导体接触部114之间且接触于发光结构112的底部。另言之，多个反射部115分离地位于半导体接触部114之间，其配置包含了彼此交替的半导体接触部114及反射部115。反射部115的反射率大于半导体接触部114的反射率，且相较反射部115，半导体接触部114可较佳地欧姆接触于发光结构112。反射部115的形状可为矩形。半导体接触部114及反射部115可排列为多个群组，而每一群组可包含N个半导体接触部114及N-1个反射部115。每一群组也可被一金属接触部116所覆盖，在本实施例中，发光元件100具有两金属接触部116形成在发光结构112底部，且每一金属接触部116内嵌有三个半导体接触部114及两个反射部115。内嵌于金属接触部116中的半导体接触部114可排列为一线段，且两相邻半导体接触部114沿着线段的距离d可介于10～50微米间以容纳反射部115。具体而言，每一距离d可约30微米。金属接触部116具有一宽度w₁宽于半导体接触部114具有的宽度w₂，且w₁对w₂的比率介于1.2到1.8之间。在本实施例中，金属接触部116的宽度w₁可约为6微米，且个别的半导体接触部114的宽度w₂可约为4微米。