[发明专利]发光元件及其发光阵列有效
申请号: | 201310542837.4 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN103811620B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 王志贤;张耀儒;黄意雯;刘国进 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 阵列 | ||
1.一种发光元件,包含:
发光结构;
多个第一接触部,彼此分离地形成在发光结构上;
以及
多个反射部,彼此分离地形成在该些第一接触部中;
其中该些第一接触部不直接接触该些反射部。
2.如权利要求1所述的发光元件,还包含第二接触部,该第二接触部覆盖该些第一接触部与该些反射部。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中该些第一接触部、该些反射部共平面地位于该发光结构之上。
4.如权利要求2所述的发光元件,其中该第一接触部包含半导体,且该第二接触部包含金属。
5.如权利要求2所述的发光元件,其中该第二接触部与该第一接触部的宽度比率可为1.2~1.8之间。
6.如权利要求1所述的发光元件,其中包含N个第一接触部与N-1个反射部。
7.如权利要求2所述的发光元件,其中该第二接触部安排成一条状,且两相邻第一接触部沿着该条状的距离介于10~50微米间。
8.如权利要求2所述的发光元件,该第一接触部包含砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)或氮化铝(AlN),该第二接触部包含锗(Ge)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、铂(Pt)或其合金。
9.如权利要求1所述的发光元件,还包含上接触部,该上接触部位于该发光结构与该第一接触部相对的一侧。
10.一种发光阵列,包含:
绝缘载体结构,该绝缘载体结构承载多个如权利要求1所述的发光元件;以及
导线串联、并联、或反向并联该些发光元件。
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