[发明专利]制造电容式加速度传感器的方法和电容式加速度传感器

权利要求书

1.一种用于由晶片元件制造出电容式加速度传感器的方法，在所述方法中，在中心晶片上制造出形成了移动电极的惯性质量块(34)，形成弹簧轴线的扭簧(39)支撑着所述惯性质量块；其特征在于：

在第二晶片上制造两个测量电极(37, 38)，所述两个测量电极相对于所述扭簧(39)和所述惯性质量块(34)对称地定位成面向所述惯性质量块(34)的第一侧，

在所述加速度传感器的惯性质量块(34)中，在第二侧，即与所述第一侧相反的一侧，制造有一个或多个非对称定位的减轻特征(40, 41)，这是通过除去在所述一个或多个减轻特征(40, 41)处的一些惯性质量块制造而成的，

所述一个或多个减轻特征(40, 41)被制作为空穴，所述空穴延伸到所述惯性质量块(34)内但不延伸穿过所述惯性质量块(34)；

所述弹簧轴线在所述惯性质量块的纵向方向上对称地、并且在所述惯性质量块的厚度方向上非对称地定位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述减轻特征(40, 41)处，通过机械加工方法除去了一些惯性质量块(34)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述减轻特征(40, 41)处，通过蚀刻方法除去了一些惯性质量块(34)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述移动电极利用SOI晶片(33)制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述SOI晶片(33)通过第一密封晶片(36)和第二密封晶片(35)进行密封。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述测量电极(37, 38)相对于所述扭簧(39)和所述惯性质量块(34)对称地定位在第一密封晶片(36)上，面向所述惯性质量块(34)的第一侧。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，携带所述测量电极(37, 38)的所述第一密封晶片(36)通过硅-玻璃隔离技术制造而成。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在连接之后，将所述第一密封晶片(36)研磨到200μm的厚度。

9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其特征在于，所述第二密封晶片(35)由玻璃制成。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，将所述第二密封晶片(35)研磨到100μm的厚度。

11.一种电容式加速度传感器，所述加速度传感器包括：

形成了移动电极的惯性质量块(34)，所述惯性质量块由形成弹簧轴线的扭簧(39)支撑着，

两个测量电极(37, 38)，所述两个测量电极(37, 38)相对于所述扭簧(39)和所述惯性质量块(34)对称地定位成面向所述惯性质量块(34)的第一侧，其特征在于：

所述加速度传感器还包括在所述惯性质量块(34)中，在所述惯性质量块的第二侧，即与所述第一侧相反的一侧制造出的一个或多个非对称定位的减轻特征(40, 41)，这是通过除去在所述一个或多个减轻特征(40, 41)处的一些惯性质量块制造而成的，

所述减轻特征(40, 41)是空穴，所述空穴延伸到所述惯性质量块(34)内但不延伸穿过所述惯性质量块(34)；

所述弹簧轴线在所述惯性质量块的纵向方向上对称地、并且在所述惯性质量块的厚度方向上非对称地定位。

12.根据权利要求11所述的加速度传感器，其特征在于，具有一个减轻特征((41)。

13.根据权利要求11所述的加速度传感器，其特征在于，具有若干个减轻特征(40, 41)。

14.根据权利要求11或13所述的加速度传感器，其特征在于，所述减轻特征(40, 41)的形状是可变的。