[发明专利]一种高精度掩模板的制作方法

说明书

技术领域

 本发明涉及一掩模板的制作方法，具体涉及一种OLED蒸镀用掩模板的制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达到液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此，OLED显示器具有广阔的应用前景，逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。

OLED结构中的有机层材料的制作需要用到蒸镀用的掩模板，传统用蚀刻方法制作掩模板，如图1～7所示，包括：

双面贴膜步骤：如图1所示，将膜11压贴或涂覆到金属基板10的两面；

双面曝光步骤：如图2所示，将金属基板10上非开口区域的膜曝光形成保护膜20，开口区域的膜不曝光，形成未曝光膜区域21；

双面显影步骤：如图3～4所示，将未曝光膜区域21的膜通过显影步骤除去，露出金属基板上的蚀刻区域31，保护膜20继续保留，图3所示为显影后的平面结构示意图，图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图；

双面蚀刻步骤：如图5所示，蚀刻后在金属基板的蚀刻区域31处形成开口51；

脱膜步骤：如图6～7所示，将保护膜20褪掉，如图6所示为脱膜后的平面结构示意图，即掩模板整体平面结构示意图，掩模板60包括掩模板本体62以及掩模板本体上的开口50，图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图。

传统通过上述蚀刻方法制作掩模板，制作小尺寸蒸镀孔（蒸镀孔尺寸L为小于100μm ）的掩模板时蒸镀孔精度很高，但是制作大尺寸（蒸镀孔尺寸L大于100μm ）的掩模板时蒸镀孔的精度不高，如图7所示，预设的蒸镀孔51的尺寸为L, 实际制作的蒸镀孔的尺寸L1要比预设的尺寸L偏大或偏小(图7所示为比预计的尺寸偏大)，蒸镀孔的精度不高，从而影响蒸镀质量。

本发明主要是针对以上问题提出一种掩模板的制作方法，较好的解决以上所述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种高精度掩模板的制作方法，在制作大开口（开口尺寸大于100μm ）的掩模板时提高掩模开口的精度，从而提高蒸镀质量。

本发明提供一种高精度掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板的两面制作掩模板的蚀刻步骤，其特征在于：

所述金属基板的两面包括掩模板的开口区域和非开口区域，所述开口区域包括蚀刻区域和非蚀刻区域，所述非蚀刻区域在所述开口区域的中央，所述蚀刻区域是由所述非蚀刻区域的外边缘与对应的所述开口区域的内边缘围成的封闭区域，在所述蚀刻步骤中，所述金属基板两面的非开口区域和所述非蚀刻区域设有保护膜，蚀刻液与所述蚀刻区域的金属反应，在所述蚀刻区域形成贯穿所述金属基板的通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域从对应的所述开口区域脱离，在所述开口区域形成掩模开口。

另外，根据本发明公开的一种高精度掩模板的制作方法还具有如下附加技术特征：

进一步地，金属基板两面对应的开口区域的中心连线垂直于金属基板的板面。

进一步地，金属基板两面的开口区域大小相等。

进一步地，金属基板两面的开口区域大小不相等。

进一步地，蚀刻区域的宽度为5～80μm。

进一步地，金属基板两面的蚀刻区域的宽度相等。

进一步地，蚀刻步骤之前还包括将金属基板的两面进行贴膜步骤、曝光步骤、显影步骤。

进一步地，曝光步骤中，将非蚀刻区域和非开口区域的膜曝光形成保护膜，蚀刻区域的膜未曝光形成未曝光膜区域。

进一步地，显影步骤将未曝光膜区域的膜去除露出蚀刻区域，保护膜继续保留。

本发明还提供了一种掩模板，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设有掩模开口， 其特征在于，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，沿所述掩模开口中心轴线所在的截面上所述掩模开口的边缘线呈葫芦状，所述蒸镀面的掩模开口大于所述ITO面的掩模开口，所述蒸镀面掩模开口的侧壁与所述掩模板本体的板面呈30～60°夹角。

本发明的有益效果在于，通过本方法制作掩模板，在制作大尺寸（开口尺寸大于100μm ）掩模开口的掩模板时，将制作大尺寸的掩模开口转化为制作小尺寸的通孔，从而提高大尺寸掩模开口的精度。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明