[发明专利]能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构无效
| 申请号： | 201310507955.1 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103531700A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 唐祖荣;周勇;陈文胜;田坤;孙迎波;方荇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 辐射 发光二极管 芯片 工作温度 范围 波导 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构，包括设置于SLD芯片（1）上的波导，波导前段形成SLD芯片（1）的有源区，波导后段形成SLD芯片（1）的无源吸收区，所述波导前段记为有源段（5），所述波导后段记为无源段，其特征在于：所述有源段（5）的形状为直条形；所述无源段的形状为异形，无源段由楔形段（2）、弯曲段（3）和直条段（4）组成；有源段（5）的右端与SLD芯片（1）的有源区发光窗口相连，有源段（5）的左端与直条段（4）右端同轴相连，且有源段（5）宽度和直条段（4）宽度相同；直条段（4）左端与弯曲段（3）右端连接，弯曲段（3）左端与楔形段（2）右端连接，楔形段（2）左端与SLD芯片（1）的后腔面相连；
所述楔形段（2）的右端宽度小于左端宽度；所述弯曲段（3）的右端宽度小于左端宽度，弯曲段（3）中部为宽度单向渐变的弧形，其宽度变化从右向左逐渐变宽；楔形段（2）的轴向与直条段（4）的轴向呈一定夹角，楔形段（2）、弯曲段（3）和直条段（4）之间的连接处光滑过渡。
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