[发明专利]一种双层凸点二极管芯片制备方法

说明书

技术领域

本发明为一种双层凸点二极管芯片制备方法，属于半导体分立器件二极管芯片技术领域。 

背景技术

二极管芯片的后道封装的引线部分有金属引线键合和焊片烧结两种方式，其中采用焊片烧结的工艺通常采取的是半自动或者手动的方式，普遍采取的是丝网的方法将已经裂片的二极管芯片进行芯片预焊（芯片两面焊上焊料），然后进行芯片装架（将预焊好的芯片装在引线框架上），最后经过加热烧结的工艺完成引线的键合。此方式由于采取两次丝网印刷，一步摆片，效率低，良率低，且容易产生焊接缺陷。 

集成电路（IC）芯片的BGA（球栅列阵）封装技术，采取的是BGA锡球，通过植球的方式，将BGA锡球植于IC芯片之上，可以获得良好的引线接触，并且降低引线电阻功率损耗以及提高散热性能，已经得到普遍的应用。其中BGA锡球作为BGA封装焊接材料，生产已经标准化，且价格低廉。 

发明内容

本发明为一种双层凸点二极管芯片制备方法。 

本发明重点考虑半导体二极管芯片后道封装焊片烧结工艺的缺陷，提供一种便于后道封装烧结过程双层凸点二极管芯片，给出了实现凸点二极管芯片的制备方法，以及双层凸点芯片结构。 

本发明的优点和积极效果是：把锡合金球直接烧结在二极管芯片金属电极键合点位置，作为二极管芯片阴极、阳极金属化后工艺的延伸，可以实现整片圆晶的批量化操作，效率高且可靠性好，可以省去后道封装过程中的芯片预焊接工艺，缩短了封装工艺流程，降低封装成本，这对普遍采取半自动和手动方式摆片操作的二极管后道封装工艺有着非常积极的意义。

附图说明

图1为金属化后二极管芯片示意图 

图2 为二极管芯片阳极植球过程示意图

图3阳极凸点二极管芯片示意图

图4为二极管芯片阴极二次植球过程示意图

图5 为双层凸点二极管芯片结构示意图

具体实施方式

本发明专利具体实施方法为： 

半导体二极管芯片金属化完成之后结构示意图如图1所示，参见图2，将整个圆片阳极面冲上，在圆片上搁置根据芯片版图尺寸制作好的钢网5并对准，使钢网开洞位置与每个二极管管芯的阳极2键合点处一一对应，通过钢网5在焊盘开口处植入锡合金球6，锡合金球的直径要小于钢网开洞尺寸，移除钢网，将植好球的二极管芯片通过加热使锡合金球融化回流，待冷却后，锡合金球6与二极管芯片金属阳极2形成欧姆接触，并形成阳极凸点二极管芯片结构，参见图3。将阳极凸点二极管芯片翻转，使其阴极面冲上，并在二极管芯片阴极3上方搁置钢网5，通过对准使钢网5的开孔位置与每个管芯阴极键合点一一对应，通常二极管阴极为无图形的金属层，阴极钢网的对准位置要和芯片阳极键合点的位置一一对应。重复阳极植球过程，进行二极管芯片的二次植球，如图4所示，最后得到双层凸点二极管芯片结构，如图5所示。最后在圆晶划片线4位置进行切割，形成单个双层凸点二极管芯片用以后道封装。