[发明专利]有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法无效
申请号: | 201310494925.1 | 申请日: | 1996-10-02 |
公开(公告)号: | CN103956361A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 佐藤尚 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 制造 方法 薄膜 元件 | ||
1.一种有源矩阵基板,包括:
开关元件,配制成与扫描线和信号线的交叉点一致,且象素电极配制成与开关元件一致;
防止静电破坏用元件,利用建立在上述扫描线和上述信号线的至少一个之间的薄膜晶体管,或与上述扫描线和上述信号线中至少一个在电气上等价的区,和公共电气保护区,上述防止静电破坏用元件包含二极管,其中薄膜晶体管中的栅极电极层与源极电极层或漏极电极层连接;和
第1开口,通过选择性地除去上述栅极电极层上的绝缘膜形成,第2开口,通过选择性地除去上述源极电极层或漏极电极层上的绝缘膜形成,
其中经由上述第1及第2开口,用和上述象素电极相同材料构成的导电性材料层连接上述栅极电极层和源极电极层或漏极电极层。
2.一种有源矩阵基板,包括:
扫描线;
信号线;
象素电极;
薄膜晶体管连到在配置成矩阵状的扫描线和信号线上,并和象素电极构成象素部分;
防止静电破坏用的保护电路,利用建立在上述扫描线和上述信号线的至少一个之间的薄膜晶体管,或与上述扫描线和上述信号线在电气上等价的区,和除扫描线和信号线以外的公共电位线,上述防止静电破坏用的保护电路包含二极管,其中薄膜晶体管中的栅极电极层与源极电极层或漏极电极层连接;和
第1开口,通过选择性地除去上述栅极电极层上的绝缘层形成,第2开口,通过选择性地除去上述源极电极层或漏极电极层上的绝缘层的同样制造过程形成,经由上述第1及第2开口,用和上述象素电极相同材料构成的导电性材料层电连接上述栅极电极层和源极电极层或漏极电极层。
3.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
第一开口通过栅极电极材料层上的第一绝缘膜的重叠膜并通过第一绝缘膜上的第二绝缘膜,且第一开口只通过栅/源极电极层上的第二绝缘膜。
4.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:上述导电性材料层由ITO构成。
5.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
与上述扫描线和上述信号线中至少一个在电气上等价的区是连接到外部端子的电极,上述共用电位线是在交流驱动液晶之际供给作为基准的基准电位的线;以及将连接上述外部端子的电极和把连接上述外部端子的电极共同连接起来构成等电位的线。
6.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述防止静电破坏用的保护电路设置在用于连接上述外部端子和公共电位的线的电极之间,以及连接上述外部端子和连接的电位线的电极之间。
7.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述防止静电破坏用的保护电路包括双向二极管,公共连接第一二极管的阳极和第二二极管阴极,及公共连接第一二极管阴极和第二二极管阳极。
8.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
电气上等价的区由公共电位线形成。
9.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
公共电位线与多个扫描线和多个信号线电连接。
10.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
公共电位线与面电极电连接。
11.权利要求2中所述的有源矩阵基板,其特征在于:
公共电位线包括栅极电极材料布线、源极电极材料布线、和连接在栅极电极材料布线和源极电极材料布线之间的象素电极材料。
12.一种液晶显示装置,包括:
权利要求11所述的有源矩阵基板。
13.一种防止在有源矩阵型液晶显示装置中包含的有源元件的静电破坏的方法,所述方法包括下列步骤:
形成包括连接到矩阵状配置的扫描线和信号线的薄膜晶体管,以及连接在该薄膜晶体管一端上的象素电极的象素部分;
提供防止静电破坏用的保护电路,该电路包含二极管,二极管具有在薄膜晶体管中与源极电极层或漏极电极层连接的栅极电极层;和
连接保护电路以防止在至少一个扫描线、信号线、与扫描线和信号线中至少一个在电气上等价的区、和除扫描线和信号线以外的公共电位线之间的静电破坏。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310494925.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:回收粉湿处理提取螺旋
- 下一篇:一种铜锌锡硫薄膜及其制备方法和用途
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的