[发明专利]一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法

权利要求书

1.一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，其特征在于，所述方法包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离；

执行步骤S2：在所述硅基衬底上依次设置栅氧化层和多晶硅栅，并在所述栅氧化层两侧设置轻掺杂源极区和轻掺杂漏极区，以形成所述控制晶体管；

执行步骤S3：在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；

执行步骤S4：通过所述环状注入工艺，对所述目标区域进行离子注入。

2.如权利要求1所述的降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，其特征在于，所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有的倾角α根据所述环状注入之目标区域的位置进行设置。

3.如权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于，所述倾角α的设置进一步包括减小所述倾角α，使得所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述环状注入之注入方向之间的夹角β变小，进而使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小。

4.如权利要求1所述的降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，其特征在于，所述环状注入工艺对所述目标区域进行离子注入，进行所述静态随机存储器之控制晶体管的阈值电压调节。