[发明专利]一种具有金属电极的石墨烯导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种在石墨烯导电膜上制备金属电极的方法，包括：

1）在基底上提供石墨烯膜；

2）通过电镀或化学镀在石墨烯膜的表面沉积金属层；以及

3）在步骤2）之前将石墨烯膜图案化；或

在步骤2）之后将石墨烯膜和金属层图案化。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基底是绝缘的，例如非金属基底，优选PET、PC、PMMA、玻璃或陶瓷基底。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中在步骤2）中通过电镀或化学镀沉积的金属可以选自任何导电金属中的一种或多种，例如选自金、银、铂、铑、钯、铜、铁、锡、锌、钴、镍、铬、镉、锑、铟、铋中的一种或多种。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其中在石墨烯表面上需要沉积金属层的部分沉积金属层。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其中对于石墨烯表面上不需要沉积金属层的部分，在电镀或化学镀之前将该部分用保护层保护，所述保护层为电镀或化学镀无法沉积的膜层，例如可剥蓝胶层或PET保护层，其中所述PET保护层的粘结层优选硅胶。

6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其中在步骤3）中，通过激光光刻或刻蚀以将石墨烯膜或石墨烯膜和金属层图案化，优选激光光刻。

7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其中步骤1）中的石墨烯膜可以是厚度为约0.34nm至3.4nm的单层或多层石墨烯膜，其中石墨烯膜的总厚度可以为约0.34nm、0.68nm、1.02nm、1.36nm、1.7nm、2.04nm、2.38nm、2.72nm、3.06nm或3.4nm。

8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其中步骤1）包括：

a）制备石墨烯膜；

b）将制得的石墨烯膜转移至基底上。

9.如权利要求1-8任一项所述的方法制备的具有金属电极的石墨烯导电膜。

10.如权利要求9所述的石墨烯导电膜，其中被光刻掉石墨烯的部位以及被保护层保护的部位不存在金属沉积，而光刻后留下石墨烯层的部位存在金属沉积。